【摘 要】
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近二三十年来,以铁电存储器的应用为目标,人们广泛开展了铁电薄膜与半导体集成的研究。其中使用较多的存储材料PbTiO3,Pb(Zr,Ti)O3, Pb(Mg,Nb)O3中PbO的含量占居了60~70%,在
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近二三十年来,以铁电存储器的应用为目标,人们广泛开展了铁电薄膜与半导体集成的研究。其中使用较多的存储材料PbTiO3,Pb(Zr,Ti)O3, Pb(Mg,Nb)O3中PbO的含量占居了60~70%,在制备和使用的过程中,给人类和环境带来严重危害;Bi4Ti3O12薄膜在超过107次翻转后,会出现明显的疲劳现象。镧系元素掺杂钛酸铋((Bi4-xAx)Ti3O12)以其高剩余极化强度、良好的疲劳强度和介电响应快等优点成为近年来研究的热点。Na0.5Bi0.5TiO3与K0.5Bi0.5TiO3作为环境协调型材料也是近几年热门的无铅材料,属于生态环境材料。本文对掺Pr的Bi4Ti3O12薄膜、Na0.5Bi0.5TiO3薄膜及Na0.5Bi0.5TiO3-K0.5Bi0.5TiO3二元体系薄膜进行了工艺制备及性能研究。我们用金属有机溶液沉积法(MOSD)制备了Bi4Ti3O12、掺Pr的Bi4Ti3O12、Na0.5Bi0.5TiO3、(Na0.8K0.2)0.5Bi0.5TiO3 4种不同组分配比的薄膜。结构、形貌和电学性能表征包括热分析、红外光谱、XRD、扫描电镜、原子力显微镜,电滞回线、C-V曲线。我们的实验结果对铁电薄膜材料在非挥发存储器方面的实际应用有较为重要的价值。
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