在简单介绍P-I-N二极管的基础上，针对碳化硅材料，以P-I-N二极管为研究对象，以MATLAB为模拟分析工具，研究了4H-SiCP-I-N二极管正向导通过程、正向恢复过程，得到一些有意义的结论，详细情况如下：首先，分析了不同结构碳化硅材料的禁带宽度、本征载流子浓度、低场电子迁移率、非完全离化、能带窄化等参数随温度等变化的情况；其次，利用集总电荷(Lumped-Charge)模型分析了4H-SiCP+-N-(P-)-N+型二极管的正向恢复特性，探讨了正向恢复影响因素、正向恢复损耗等问题，得到的结论是基区掺杂浓度、基区宽度、温度等对二极管的正向过冲电压有明显的影响，未来大功率二极管正向恢复损耗将不可忽视；再次，采用Bellone提出的模型，讨论了基区宽度、基区掺杂浓度等对4H-SiC P+-P--N+二极管的正向电流-电压曲线的影响，并与4H-SiC P+-N--N+二极管进行比较，发现在同一电压下，4H-SiCP+-P--N+二极管的电流比4H-SiC P+-N--N+二极管的电流小；最后，基于集总电荷(Lumped-Charge)模型分析了4H-SiCP+-N-(P-)-N+型二极管的线性反向恢复特性，分析了基区参数、温度和电流下降速率对反向恢复电流曲线的影响，p型和n型对比发现由于迁移率的不同，p型反向恢复时间比n型要短。