发光二极管（LED）作为固态光源凭借其高效环保的特点,被广泛地应用于显示和照明领域。由于发光层是电致发光器件中至关重要的一部分,因此科研人员们在近几十年里对半导体荧光薄膜进行了大量的研究。在荧光材料的研究中发现,白钨矿型的钼酸盐材料具有稳定的物理化学性质,对于发光离子有高兼容性,同时拥有较窄的光学带隙,具有半导体的性质,因此十分适合作为荧光材料的基质。稀土离子的发光具有窄谱带,高色纯度,高发光效率等特点使其在发光领域拥有得天独厚的优势。虽然近年报道了多种稀土离子掺杂钼酸盐发光材料的制备方法,但都主要集中在本体荧光粉领域,因此在稀土掺杂钼酸盐薄膜材料方面还有很多可以优化的地方。本论文采用溶液法制备了多种稀土离子掺杂的钼酸盐荧光薄膜,发展了一种简单可行,具有普适性的溶液法,具体内容如下:1、我们采用丁酸/丁胺体系的溶液法制备了 Eu³⁺掺杂的CaMoO₄/SrMoO₄红色荧光薄膜,并系统研究了 Eu³⁺掺杂浓度,退火温度和Na+/K+/Li+碱金属离子掺杂对荧光薄膜发光强度的影响。通过测试分析,得到的最佳掺杂条件为Ca0.87MoO₄:Eu0.10³⁺,K0.0³⁺（500℃退火 2h）和 Sr0.82MoO₄:Eu0.15³⁺,K0.0³⁺（650℃退火2 h）。它们的荧光寿命分别为0.48 ms和0.45 ms,光学带隙分别为4.7 eV和4.8 eV,并且薄膜表面均匀无裂缝。2、我们采用同样的溶液法制备了 Tb³⁺掺杂的CaMoO₄/SrMoO₄绿色荧光薄膜,并系统研究了 Tb³⁺掺杂浓度,退火温度和Na+/K+/Li+碱金属离子掺杂对其发光强度的影响。Ca_0.87MoO₄:Tb_0.03³⁺,Li_0.1⁰⁺（650℃退火 2 h）和 Sr_0.82MoO₄:Tb_0.15^3-,Li_0.0³⁺（650℃退火2 h）为最佳的掺杂条件,并且其荧光寿命分别为0.46 ms和0.45 ms,光学带隙分别为4.67 eV和4.82 eV。此外,还采用该溶液法制备了Sm³⁺/Dy³⁺掺杂的CaMoO₄/SrMoO₄荧光薄膜,简单对比了稀土离子掺杂浓度和退火温度对其荧光强度的影响,得到最佳掺杂条件为Ca_0.97MoO₄:Sm_0.03³⁺（650℃退火 2h）,Sr_0.90MoO₄:Sm_0.10³⁺（550℃退火 2h）和 Ca_0.99MoO₄:Dy_0.01³⁺（650℃退火2h）。3、由于Eu³⁺和Tb³⁺之间存在一定的能量传递效应,因此我们采用溶液法制备了 Eu³⁺和Tb³⁺共掺杂的CaMoO₄/SrMoO₄荧光薄膜,并且在钼酸盐基质中可以清晰地观察到Tb³⁺向Eu³⁺的能量传递效应。在CaMoO₄/SrMoO₄:Eu³⁺中掺杂Tb³⁺时,Eu³⁺的特征发射峰强度随Tb³⁺离子的掺杂浓度呈现先增后减的趋势;在CaMoO₄/SrMoO₄:Tb³⁺中掺杂Eu³⁺时,伴随着Eu³⁺掺杂浓度的提高,薄膜的发光颜色由绿色变为红色。研究发现薄膜的最佳掺杂浓度为Ca_0.87MoO₄:Eu_0.1³⁺,Tb_0.03³⁺,Ca_0.90MoO₄:Tb_0.03³⁺,Eu_0.07³⁺,Sr_0.78MoO₄:Eu_0.15³⁺,Tb_0.07³⁺和Sr_0.78MoO₄:Tb_0.15³⁺,Eu 0.07³⁺,且其光学带隙宽度位于4.49 eV到4.72 eV之间。测试发现CaMoO₄/SrMoO₄:Eu3³⁺/Tb³⁺荧光薄膜由球形晶粒致密堆积而成,表面光滑无裂纹。