【摘 要】
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该文全面系统地分析了IGBT的工作机理,在此基础上建立了基于PIN二极管理论的IGBT二维准数值分析模型和IGBT的等效电路模型.在等效电路模型中,用电压控制电阻(VCR)等效IGBT高
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该文全面系统地分析了IGBT的工作机理,在此基础上建立了基于PIN二极管理论的IGBT二维准数值分析模型和IGBT的等效电路模型.在等效电路模型中,用电压控制电阻(VCR)等效IGBT高阻、厚外延n-区的电导调制电阻,准确地体现了IGBT电导调制效应的原理,克服了传统IGBT等效电路模型把n-区电阻视为pnp管基极电阻的不足.等效电路的其它元件如DMOST和pnp晶体管等直接从SPICE标准模型库中调用.使用SPICE MOS-LEVEL-8模型,确保模型计算的精确性和收敛性及与SPICE软件的兼容性.基于半导体器件物理方程,建立了IGBT模型参数非破坏提取的系统理论,并对模型参数的理论计算进行了全面的优化,模型参数提取简单、准确.
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