导电高分子是从七十年代末发展起来的一类新型高分子，导电高分子通过掺杂可具备一定的电导率，通过掺杂-去掺杂，可在绝缘态和导电态之间切换，同时伴随许多独特的性质，如电致发光、电致变色、微波吸收等，使其在发光二极管、二次电池电极材料、新型显示器化学和生化传感器以及伪装材料等诸多方面有着广阔的应用前景。导电高分子的合成和改性，一直是导电高分子研究中的一个重点。改性分为共混和共聚。通常电化学共聚是在氧化电位接近的单体之间进行的，如吡咯和苯胺、吡咯和连二噻吩、吡咯和3-甲基吡咯以及3-甲基噻吩和3，4-二乙氧基噻吩之间的共聚。若单体之间的氧化电位相差太大，则会给共聚带来较大的困难。但是S.Kuwabata等人采用扩散电流控制法成功的克服了这个困难。另外，导电高分子材料具有一定的吸波性，吸波原理属于电损耗型，在一定的电导范围，其最大衰减随电导率增加而增加，介电常数亦随电导率增加而增加。 在本论文中，主要做了以下的工作：(1)用恒电压法，在扩散电流控制下，于BFEE体系中成功实现了噻吩和3-甲基噻吩的共聚，并以电化学和红外光谱的方法给出了共聚物的可靠证据，证明制得的是共聚物，而不是共混物，共聚的方式也不是嵌段共聚，而更可能是无规共聚。共聚电压会影响共聚组成，电压越高，共聚物中噻吩含量就越高。共聚物具有良好的力学拉伸性能，最大拉伸强度可达110MPa，并具有很稳定的电导率以及力学模量。 (2)单一导电高分子材料的吸波频率比较窄，本论文通过制备聚噻吩和聚3-甲基噻吩的复合膜大大拓宽了吸波频率，复合膜在400cm-1～7000cm-1范围内有强的宽吸收。同时研究了吸波性与复合膜结构、复合膜层数及其厚度的关系。此外，还发现聚3-甲基噻吩在聚噻吩膜上生长的速度要远远快于在不锈钢电极上生长的速度。 (3)采用Gaussian98程序包，考虑电子相关因素，用密度泛函方法(DFT)进行理论计算，交换函数选用Becke3(B3)，相关函数为LYP函数，所用基组采用3-21G*Gaussian基组，计算了聚噻吩、聚3-甲基噻吩以及它们的共聚物的结构参数、共轭结构、红外频率等，尝试理论与实验相结合的研究方法。