【摘 要】
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本文采用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了纯Ta薄膜和低值Ta-0薄膜。研究了不同制备工艺参数以及热处理过程中上述两种成分薄膜的微观结构、表面形貌以及化学组成的演变及其对电性能的影响。同时研究了n与Ta0_x缓冲层的微观结构、表面特性及其对沉积其上的Ta薄膜微观结构的影响，分析了缓冲层对Ta薄膜的生长机理以及Ta/n和Ta/Ta0_x薄膜微观结构的演变对电学性能的影响。溅射功率、沉积温度对Ta薄膜的沉
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本文采用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了纯Ta薄膜和低值Ta-0薄膜。研究了不同制备工艺参数以及热处理过程中上述两种成分薄膜的微观结构、表面形貌以及化学组成的演变及其对电性能的影响。同时研究了n与Ta0_x缓冲层的微观结构、表面特性及其对沉积其上的Ta薄膜微观结构的影响，分析了缓冲层对Ta薄膜的生长机理以及Ta/n和Ta/Ta0_x薄膜微观结构的演变对电学性能的影响。溅射功率、沉积温度对Ta薄膜的沉积速率、结晶取向、0/Ta比值以及电性能起着重要作用；所沉积的Ta薄膜均呈现碳污染。随溅射功率
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