随着汽车电子的发展，汽车电子化程度已逐渐成为汽车先进水平的标志。在各类的汽车电子产品中，存储器尤其是非易失性存储器在汽车电子产品中的应用越来越广泛。EEPROM作为目前非易失性存储器的主流存储器成为各类电子设备的首选。因此，研究满足汽车电子应用的EEPROM产品将有广泛的应用范围和市场前景。　　论文主要的工作是探究基于满足汽车电子工艺标准的ASMC0.35μm工艺线EEPROM存储单元的特性，包括擦除/编程的耐久性，数据保持能力等指标。在此工艺上设计了相关外围电路，包括译码器电路，数据存储器电路，高压产生电路，灵敏放大器等。其中在高压产生电路的设计中，提出了一种新型电荷泵结构，有效的缩短了电压上升时间，减小了芯片面积。在进行译码器设计时，对译码器的结构和布局进行优化，以减少传输延时，提高电路译码准确率。在电路设计完成后，还进行版图设计，整个设计流程均采用全定制方法设计。　　论文首先对EEPROM存储器进行了概述，接着对EEPROM的基本工作原理、编程方法、阵列结构等做了详细介绍;然后介绍了论文所采用工艺的EEPROM存储单元的设计和特性分析;之后介绍了EEPROM整体架构设计和读写时序控制，并在此基础之上进行了相关外围电路设计和仿真，包括数字逻辑部分和模拟电路部分。最后进行了整个EEPROM的版图布局和设计。