【摘 要】
:
作为第三代半导体材料的典型代表,GaN具有带隙宽,热导率高,化学性质稳定,饱和电子漂移速度大等特点。因此,其可广泛的应用于高亮度发光二极管、蓝光激光器、紫外探测器、大功
论文部分内容阅读
作为第三代半导体材料的典型代表,GaN具有带隙宽,热导率高,化学性质稳定,饱和电子漂移速度大等特点。因此,其可广泛的应用于高亮度发光二极管、蓝光激光器、紫外探测器、大功率和高温器件。又由于非极性GaN材料可以消除压电极化导致的氮化物发光器件辐射复合效率低和发光波长蓝移等问题。因此,对非极性GaN材料尤其M面GaN材料的制备研究已经成为一个新的研究热点。本文采用有机金属化学气相沉积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上进行了试探性地生长,并取得了一定的进展。该研究的进行为我们下一步(如:半导体器件、纳米多孔薄膜、自支撑GaN薄膜)研究打下了坚实的实验基础。首先,采用MOCVD技术在蓝宝石衬底上通过变化生长温度来生长M面非极性GaN薄膜,通过研究发现其最佳生长温度为1050℃;其次,采用缓冲层和生长层生长压强同步变化的方法大体确定了生长的最佳压强5torr-10torr。通过扫描电子显微镜(SEM)、光致发光光谱(PL)和X-射线衍射(XRD)的研究发现:10 torr以下所生长的GaN薄膜的质量最高,且生长速度随压强增大而减小再次,采用缓冲层和生长层生长压强分别变化的方法,进一步确定了GaN薄膜的缓冲层和生长层的生长压强对GaN薄膜的影响。研究发现:缓冲层的生长温度较高时,缓冲层生长压强为10 torr,生长层生长压强为10 torr时所生长的GaN薄膜的质量为最好。最后,采用变化缓冲层生长温度的方法,研究了缓冲层生长温度对氮化镓薄膜的影响。通过研究发现:较高的缓冲层生长温度有利于非极性GaN薄膜的生长。
其他文献
<正>日前KINGMAX推出了大容量SSD固态硬盘,分为2.5英寸和1.8英寸产品,均为SATA接口。其中2.5英寸硬盘容量有16GB~128GB,1.8英寸容量为8GB~64GB,可完全与目前个人电脑主流配置相
为深入分析生物甘油水蒸气自热重整制氢强化过程以实现高效制氢,采用吉布斯自由能最小原理,研究氢气分离与二氧化碳吸附两种强化手段对甘油自热重整过程的影响,分析氢气产量
制度创新和技术创新是长波运行的主要动力。美国第五轮经济长波在2007年开始进入下降阶段,本轮美国经济长波下降期将会呈现出波动幅度小、下降持续期短的特点。我国应当借鉴
工作在2μm波段的纳秒级脉冲掺铥激光器在激光雷达、光电对抗等领域有着广泛的应用需求,而全光纤化结构的脉冲掺铥光纤激光器以其结构紧凑、可维护性好等优点成为当前的研究
本文介绍了光纤布里渊散射原理,详细论述了受激布里渊散射的基本理论,分析了布里渊谱的特性。根据光纤中的受激布里渊散射的频移受光纤温度和应变影响的机理,建立了利用光纤
探讨应用瞬态诱发式耳声发射技术(TEOAE)对住院新生儿及婴幼儿进行听力筛查的可行性及临床意义。方法:采用丹麦GN Otometrics公司生产的AccuScreen手持式耳声发射筛查仪器-瞬态
近年来,基于超构材料(metamaterial)的变换光学发展非常迅速。变换光学的核心思想是通过控制折射率的连续分布,对光子的传播进行无界面反射的调控。基于这个想法,人们设计出
为了满足生产者和消费者对高品质黄瓜品种的需求,在春季塑料大棚土壤栽培条件下,对12个黄瓜品种的果实营养品质、芳香物质含量、丙醇二酸含量、外观品质以及植株田间表现和产
通过对2014年版和2007年版《国家学生体质健康标准》的项目设置、评价标准等进行对比,并将武汉市警予中学2013年初二年级五个班学生测试数据用新旧两种标准进行统计分析,研究
氧化锌(Zn0)结构中性质稳定且比较常见的是纤锌矿结构,它是一种新型直接带隙氧化物半导体材料,属Ⅱ-Ⅵ族,在光电和压电等方面有着优越的价值。采用密度泛函理论下的CASTEP软