作为第三代半导体材料的典型代表,GaN具有带隙宽,热导率高,化学性质稳定,饱和电子漂移速度大等特点。因此,其可广泛的应用于高亮度发光二极管、蓝光激光器、紫外探测器、大功率和高温器件。又由于非极性GaN材料可以消除压电极化导致的氮化物发光器件辐射复合效率低和发光波长蓝移等问题。因此,对非极性GaN材料尤其M面GaN材料的制备研究已经成为一个新的研究热点。本文采用有机金属化学气相沉积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上进行了试探性地生长,并取得了一定的进展。该研究的进行为我们下一步(如：半导体器件、纳米多孔薄膜、自支撑GaN薄膜)研究打下了坚实的实验基础。首先,采用MOCVD技术在蓝宝石衬底上通过变化生长温度来生长M面非极性GaN薄膜,通过研究发现其最佳生长温度为1050℃；其次,采用缓冲层和生长层生长压强同步变化的方法大体确定了生长的最佳压强5torr-10torr。通过扫描电子显微镜(SEM)、光致发光光谱(PL)和X-射线衍射(XRD)的研究发现：10 torr以下所生长的GaN薄膜的质量最高,且生长速度随压强增大而减小再次,采用缓冲层和生长层生长压强分别变化的方法,进一步确定了GaN薄膜的缓冲层和生长层的生长压强对GaN薄膜的影响。研究发现：缓冲层的生长温度较高时,缓冲层生长压强为10 torr,生长层生长压强为10 torr时所生长的GaN薄膜的质量为最好。最后,采用变化缓冲层生长温度的方法,研究了缓冲层生长温度对氮化镓薄膜的影响。通过研究发现：较高的缓冲层生长温度有利于非极性GaN薄膜的生长。