本篇论文的主题是论述了在先进大规模集成电路制造中,相关于Contact制造工艺,对SRAM(静态存储器)成品率提高问题的实际案例分析和解决方法。众所周知,随着集成电路制造中器件的关键尺寸变的越来越小,现代电子产品对于功耗的要求也变的越来越严格,低功耗,高性能,低成本已经成为了绝对的发展趋势。半导体产品的良率对于集成电路制造来说一直是非常重要的衡量指标。它标志着生产工艺的成熟度与制程的稳定性。SRAM(静态存储器)对于集成电路,特别是超大规模的集成电路设计来说,是一个很重要的组成部分,它的器件在一个完整的功能芯片中往往关键尺寸是最小的。这样一来它对于在制造过程中的发生的各种微小的制程差异都有着非常高的灵敏度,由于这种特性,在集成电路制造中SRAM就成为了提高集成度的一个重要的瓶颈。在集成电路制造过程中很多失效都能够在SRAM区域中被发现。对于90纳米以及以下的先进工艺,Contact制程的优劣与稳定与否是造成SRAM失效,影响良率的最主要原因,一直困扰着集成电路设计和制造的发展。集成电路制造过程中的产品良率同时也是决定产品是否可以量产进入市场的一个关键性的因素。如果良率太低不仅会直接影响产品本身的稳定性,而且也会大大增加产品的成本,转而威胁到产品的竞争力。所以如何提升产品的良率,已经是当今集成电路制造业中一项重要的议题。