由于ZnO材料在光电方面具有很多出色的特性，近年来已经成为光电材料研究领域内的佼佼者。ZnO属于直接带隙宽禁带半导体，具有较大的激子束缚能，这些优点使得ZnO材料有望在紫外发光二极管和激光二极管等的研制中发挥重要作用。另外，ZnO材料也适合制备纳米发电机、生物探测器及紫外探测器等。目前，已出现的可以制备ZnO薄膜材料的技术有很多种，如金属有机化学气相沉积、磁控溅射、分子束外延、喷雾热解、脉冲激光沉积、化学水浴等，不同技术在制备ZnO薄膜材料过程中都体现出特有的优势和局限性。本篇论文主要采用不同技术制备了ZnO薄膜和ZnO基发光二极管，研究了薄膜和器件的性能。具体内容如下：我们选取GaAs作为衬底，制备ZnO基同质结LED。实验中利用MOCVD法生长n-ZnO薄膜，经退火处理实现了n型向p型的转换，获得了p-ZnO：As薄膜。然后利用磁控溅射技术在前期制备的p-ZnO：As薄膜上溅射一层ZnO籽晶层，再将带有ZnO籽晶层的p-ZnO：As薄膜置于容器中，采用水热法（CBD）生长ZnO纳米阵列。测试结果显示，ZnO基同质结LED表现出良好的整流特性。当注入电流达到40mA时，该器件表现出了明显的电致发光特性，其中包含一个位于383nm的紫外发光峰。我们选取蓝宝石（Al2O3）作为衬底，利用工业化的MOCVD设备在衬底上生长n-GaN薄膜，控制生长参数得到厚度为1500nm的薄膜。而后在n-GaN薄膜上，利用等离子体增强MOCVD技术沉积一层厚度为500nm的p-ZnO：N薄膜，并对器件进行了退火处理。测试结果显示，此器件表现出明显的整流特性，电致发光光谱中出现了一个位于390nm的强烈的紫外发光谱峰。