基于PffBT4T-2OD/PC61BM有机光敏晶体管的光探测性能研究

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有机光电探测器在军事、科研和民用等领域表现出巨大的应用潜力,在近二十年得到了飞速的发展,但其综合性能仍未达到商业化应用要求。通过调控电荷陷阱的空间分布获得高性能的有机光电探测器是近年来的研究热点。在有机光敏晶体管中,电荷陷阱可能分布于活性层、电极界面以及导电沟道的缺陷态中,本论文以与这三个空间位置相对应的给受体界面、活性层/电极界面和介电层/活性层界面为研究主线,在经典光伏材料PffBT4T-2OD/PC61BM体系中,分析并优化相应界面层的结构和电荷传输过程,探索提升有机光电探测器的综合性能的可行方法。主要研究工作有以下三部分:1、利用PffBT4T-2OD和PC61BM形成本体异质结结构的活性层,获得具有高光探测性能的有机光敏晶体管。首先,比较了不含本体异质结结构和给受体比为5:1时器件的性能,电子受体材料的引入促进了空穴的注入和激子的解离,在光照表现出更大的开启电压漂移和光电流,从而获得高达637.8 A·W-1的响应度和8.6×1015Jones的比探测率(VG=2V,0.011 m W·cm-2@702 nm)。进一步提升PC61BM含量,调控载流子的复合过程,有机光敏晶体管的响应速率加快,当给受体比为1:2时,器件的上升时间和下降时间分别下降至4.6 ms和7.1 ms。2、不同电极及界面缓冲层对活性层/源漏电极间载流子传输的影响。不同金属电极的器件性能,在有无PC61BM受体时表现出明显的差异。对于不含PC61BM的器件,载流子传输和复合只发生在PffBT4T-2OD中,Au电极器件相较Ag电极器件具有更低的空穴注入势垒,因而在相同条件下光电流更大,器件性能更优异。但当活性层中掺入PC61BM后,载流子复合会同时发生在PffBT4T-2OD和PC61BM中,降低活性层中自由空穴密度,使Au电极器件的低注入势垒优势不再明显。这也证明了本体异质结中的受体提供了体系主要的电荷存储和光电倍增效应。进一步在源漏电极和活性层之间插入界面缓冲层PFN-Br,形成界面偶极,使开启电压漂移,从而影响光敏晶体管的性能。3、介电层表面性质对于有机光敏晶体管光探测性能的影响。首先以PMMA为例,证明了在Si O2“双介电层”结构中,介电性能主要来源于电容更小的Si O2,修饰介电层的厚度对器件性能影响较小。进一步比较不同介电层材料性质的差异,综合考虑介电常数和表面成膜性,在以PS为介电层的结构中获得了最佳的性能,响应度和比探测率分别2912.2 A·W-1和2.6×1016Jones(VG=0.5V,0.011 m W·cm-2@702 nm)。
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