随着半导体产业的快速发展以及许多新型消费类电子产品的广泛应用于普及,人们对于存储器的要求越来越高。业界对于Flash的持续性的研究使它一直保持了旺盛的生命力,在存储领域应用的Flash存储器的设计成为当今半导体技术领域,门槛最高的方向之一。　　NAND Flash是Flash中应用比较广泛的存储器,它采用串行的存储模式,能够实现固态大容量存储。它由于排列紧凑,相同面积能够存储更多的数据,改写速度快等优点,得到了广泛的应用。虽然研究 NAND Flash的文章有很多,但是大多数都是基于算法层面,而很少基于内部电路的设计来对其性能进行优化。　　本文重点对嵌入式NAND Flash设计中的一些问题进行研究,包括架构发展趋势,芯片整体框架和模块划分,主要功能模块的设计,并且注重实际芯片的实现。根据实验室音视频项目大容量数据存取的要求,本文将设计一种新型的Flash存储器,初步设计存储容量1Mbit,由于Flash存储单元的性能很大程度上受制于工艺限制,因此本文侧重于存储器外围电路的设计,通过提高电路的性能来提高整个存储器的性能。　　论文采用自上而下的设计方案,结合实验室多年积累的模拟与数字电路设计方面的经验,完成了存储器电路级的设计。在外围电路的设计中,对带隙基准源电路及灵敏放大器电路以及正电荷泵等进行了优化和改进。最后论文对存储器的版图实现进行了研究与设计。