随着电子产品向多功能、高性能、高可靠、小型化、便携化及大众化普及所要求的低成本等方向发展,电子封装行业的技术也日新月异。芯片的一级封装经历了引线框架型,球栅阵列型(BGA, Ball Grid Array),到TSV(Through Silicon Via)三维封装。在球栅阵列封装中因为采用了凸点,封装密度从一维提升到二维;在倒装焊封装中(FCBGA, Flip Chip BGA),凸点的作用进一步突显出来,大大缩短了电气互连距离,并提高了封装密度;在TSV三维封装中,微凸点键合又因其他键合方式无以比拟的优势得到广泛的关注。随着凸点尺寸和凸点节距越来越小,传统的凸点制备工艺,蒸发/溅射沉积法,丝网印刷法以及转移法难以满足工业化生产的需求,而电镀法则因其工艺简单、易于批量生产、凸点一致性好,以及可以制备绝大部分凸点等优点脱颖而出。因为传统锡铅焊料对环境的危害,在无铅焊料领域科研工作者们已经进行了广泛的评估和筛选,锡银系已经得到了业界的认可。本研究为制作Sn-Ag合金凸点,研究了锡、银的制备工艺,通过工艺优化分别在甲基磺酸镀锡液和丁二酰亚胺无氰镀银液中成功制备了纯锡镀层和纯银镀层;采用分步电镀-回流法制备出成分可控的Sn-Ag合金,通过DSC证明了该方法是制备Sn-Ag合金凸点的有效方法;详细研究了在合金化过程中凸点和铜基底之间的界面反应,及随着回流时间延长界面的演化规律;在上述研究基础上,通过掩膜光刻技术,探讨了在硅片上实际制备凸点的工艺,所制备的直径为60微米、间距180微米凸点排列整齐、高度均匀,在甘油浴中回流后,凸点表面光滑,球形完美,为今后制备Sn-Ag合金凸点奠定了基础。