基于180nm工艺的L band导航芯片射频接收机后端优化设计

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在本研究中,我们主要集中在CMOS 180nm工艺的L波段双通道射频后端的优化设计。本接收机的射频后端包含两个通道,每个通道包含高增益和高线性度两条工作链路,每条工作链路包含B1,B3,L1,F1四种工作模式。其中,接收机后端的高增益链路包括PGA、高增益CF、VGA和ADC。接收机后端的高线性度链路包括高线性度CF和缓冲器。本研究提出了一种可优化增益链路的镜像抑制性能的可编程增益放大器(PGA)。其IQ不匹配自动手动校准算法主要基于标志位自适应检测算法、二叉树查找算法以及信号频率自适应算法实现。本研究还实现了一种可优化高线性度链路的线性度的复数滤波器,其基于蛙跳式低通滤波器频谱搬移原理,本蛙跳式低通滤波器设计基于积分器,但可实现高于积分器的稳定性。整个高增益链路后端的联合仿真显示,后仿真总增益为3dB-54dB,总的镜像抑制比为59dB,供电电压为1.8V。一个中频通道的平均电流为11.62mA。整个高线性度链路后端的联合仿真显示,后仿真电压增益为3dB,输出1dB功率压缩点为19dBm,供电电压为1.8V和3.3V。一个中频通道的平均电流为25.38mA,噪声系数为6.193 dB,OIP3为25.65dBm。本论文还给出了整个接收机的版图架构和最后的芯片测试结果。该芯片的总面积分别为9.24 mm~2。高线性度CF以及PGA的版图面积分别为0.5mm~2和0.11 mm~2。
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