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相比传统的有机发光二极管(OLED),量子点发光二极管(QLED)在可见光区荧光光谱连续可调、亮度高、寿命长等优势广泛应用于照明和显示等领域。目前虽然QLED的效率、寿命、驱动电路的优化、亮度、全彩显示上都取得了巨大进展,但是在显示照明领域仍存在一些问题,比如在实际发光区域器件效率低下、高开启电压、不可避免地产生寄生电致发光等。随着器件发光面积的增大,要求器件必须有更高的发光效率和瞬时亮度,同时还要在高亮度的条件下具有良好的稳定性。反型QLED具有高效率、高稳定性等优势有望成为显示领域高科技产品之一。由于反型QLED器件内部结构,反型QLED器件发射出来的光有部分因全反射、材料吸收、等离子体效应而被限制无法出来导致光效率低下。其中影响最大的是内部全反射,极大限制其在商业化领域的应用。众多研究表明,通过在器件中引入微纳结构如纳米柱阵列、纳米棒、光栅结构、微透镜结构等可以有效抑制内部全反射,进而提高器件出光效率。当前微纳图案化结构的构筑技术有蘸笔印刷技术、光刻技术、纳米球刻蚀技术和纳米压印技术等。与前几种技术相比纳米压印技术具有分辨率高、低成本、高产率,则可实现高产量、低成本、大面积微纳图案结构制备。为进一步提高反型QLED器件的效率提供条件。ZnO作为反型QLED器件中的电子传输层具有高透过率、电子传输能力强、环境稳定性好等性能。相比其它层更容易实现图案化。具体的实验工作分为以下三个方面:1、ALD制备ZnO及其性能研究。我们用原子层沉积制备ZnO薄膜,通过调节实验过程的温度、循环次数,得到600 cycle、100℃下,透过率为90%、电子迁移率高的ZnO薄膜。2、图案化ZnO薄膜的制备。考虑到ZnO薄膜本身特性不符合传统纳米压印技术要求,因此本文以纳米压印为基础通过调节纳米压印过程的温度、压力及二次压印中PDMS模板旋转的角度,可以得到一维、二维光栅结构图形。而后通过感应耦合等离子体刻蚀技术,调节ICP功率获得周期750 nm、线宽为500 nm、线间距为250 nm高度为30 nm的图案化石英基底。之后利用原子层沉积制备ZnO薄膜的条件为基础得到图案化ZnO。3、图案化ZnO提高反型QLED出光效率。图案化的ZnO具有较好的光栅结构且高度为30 nm左右,并将这种图案化的结构引入到绿光器件中。发现结构的引入消除了器件有机层和ITO之间的波导模式的影响。实验结果显示图案化ZnO的反型QLED器件中电流效率是平膜器件的2.15倍,同时其最大电流效率从3.30 cd/A提高到7.10 cd/A,相比提高了115%。