耐久性问题是存储器件最重要的可靠性问题之一。三栅分栅闪存器件由于特殊的物理结构和工作方式，不仅导致其特有的器件特性，而且引入了新的可靠性问题。　　 本论文结合直流电压应力和UV方式，研究了三栅分栅闪存器件耐久性退化机理，第一次发现多晶到多晶的F-N电子隧穿擦除操作引起的隧穿氧化物束缚电子是导致三栅分栅闪存器件退化的主要原因。基于器件耐久性退化机理，结合三栅分栅闪存特殊的结构和操作方式，提出陷阱束缚电子密度与器件擦除后阈值电压漂移的关系模型，讨论了模型参数的测量模型和方法，并结合软件的模拟和实验测量，验证了陷阱束缚电子密度模型的有效性。　　 在耐久性优化方面，本论文分别从器件操作条件和工艺上对三栅分栅闪存器件的耐久性进行了研究。在优化器件操作条件方面，提出了过擦除方法和动态调节擦除电压的方法，应用于单个存储单元的测试中，相较于原始的擦除操作条件，能够很好的改善器件的耐久特性；在工艺优化中，论文对一次/二次退火后的隧穿氧化物的电学特性进行了研究，发现包含N2O气体二次退火形成的隧穿氧化物表现出优异的特性，实验结果表明，该工艺优化能够有效地改善器件的耐久性能。　　 本论文还讨论了三栅分栅闪存器件尺寸缩小所面临的挑战，提出并验证了三栅分栅闪存实现复位存储的可能性；此外，论文提出在现有工艺下对现有结构进行了细微改进，通过模拟软件的验证，改进后的器件结构可以有效的提高器件编程的效率，为未来器件尺寸缩小所要求的编程电压降低提供了更大的空间。