本文研究了吡咯烷分子在飞秒激光场中的电离解离行为，我们希望通过研究加深对于中等强度的飞秒激光作用下有机分子的电离解离机制的认识。通过对于吡咯烷在400nm和800nm两种波长下的飞秒激光作用的研究，我们得到如下的结果：1．在800nm的飞秒激光作用下，在光强小于3×1013W/cm2母体离子主要是通过4+2共振增强多光子电离产生的。随着光强的逐渐变大母体离子开始解离成碎片离子，在光强范围1×10¹⁴-5×10¹⁴W/cm²时，场致解离是形成碎片离子的主要原因。2．在400nm的飞秒激光作用下，在光强范围1×10¹⁴-5×10¹⁴W/cm²时，我们得到了与800nm时相同的结论，即场致电离是母体离子碎片化主要原因。与800nm飞秒激光作用下结果不同的是在400nm飞秒激光作用下，除了有一部分母体离子由于场致解离而解离成碎片离子以外，还有一部分碎片离子是通过母体离子的共振吸收400nm的光子得到的。这一点我们可以通过对比在相同偏振的条件下400nm和800nm不同的碎片化程度得到证实。3．我们在实验中还研究了吡咯烷分子母体离子的质谱峰的峰宽的成因，根据我们的模拟结果，我们发现质谱峰的展宽主要是由于焦斑的尺度在飞行时间质谱轴向上的分布造成的。