磁流变抛光技术是一种新型的光学加工技术,它是基于磁流变液在磁场的作用下的流变性,从而对工件表面进行去除。由于磁流变抛光对于被抛光表面几乎没有正向压力,故在抛光过程中对于材料表面几乎不存在二次破坏,不会留下亚表层损伤,故成为了超光滑表面制造中十分具有前景的技术之一。本文基于环带式磁流变抛光技术,通过对均匀磁场状态下的环带式磁流变抛光实验结果进行分析,发现其存在的面型缺陷,由此提出通过改变磁场分布从而改善面型缺陷的方法,介绍并分析了三种产生非均匀磁场分布的磁场结构,并进行相应磁流变抛光实验,之后选择一种结构在此基础上,连同其他的工艺参数一起设计并进行了非均匀磁场状态下的环带式磁流变抛光正交实验,测量并分析了结果。本文先进行了测量了环带式磁流变抛光磨头的均匀磁场分布,并在此分布下进行了均匀磁场的磁流变抛光实验,得出在均匀磁场状态下,环带式磁流变抛光会对工件中心造成过度抛光,使得中心存在去除过多的“凹坑”现象。之后,介绍并分析了三种磁场结构,测量并分析了这三种磁场结构产生的非均匀磁场分布,并在此三种非均匀磁场结构下进行了磁流变抛光实验,之后从中选择出对中心“凹坑”补偿较为明显的主辅磁极磁场结构,在此基础上,以磁场强度、磁场分布、磨头转速、工件转速为因素,设计了四因素三水平的磁流变抛光正交实验,分析试验结果,得到所选择的因素对于抛光去除分布从工件边缘到中心的均匀性的影响程度上,从大到小为磨头转速、磁场强度、工件转速、磁场分布,并选择最优的因素水平进行了验证实验。