纳米金刚石膜相关论文
本文用微波等离子化学气相沉积系统(MPCVD)在镀钛的单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜。反应气体为CH4和H2,其流量比为CH4：H2=30：30scc......
采用热阴极直流辉光等离子体CVD方法,在氩气/甲烷/氢气混合气氛中制备出纳米晶金刚石膜,研究不同氩气/氢气流量比对纳米金刚石膜沉......
在人工合成金刚石技术日益成熟的背景下,纳米级的金刚石颗粒因其优越的性能,在工业、医学、半导体等领域得到了广泛应用。金刚石薄......
为了满足生命科学、医学、微电子和光学等前言科学对高品质真空窗口的需求,制备高致密度高质量的纳米金刚石真空窗口变得越来越迫......
本文着重研究了化学气相沉积(CVD)法沉积纳米金刚石膜的制备工艺，对纳米CVD金刚石膜的性能及特点进行了详细的描述，并对本公司多......
本文研究了纳米金刚石外延薄膜的制备方法及其场发射特性.采用电泳方法将粒径20nm以下的纳米金刚石微晶沉积到Ti电极衬底上,用热丝......
本文采用热灯丝CVD法在硅尖上制备了纳米金刚石膜,并研究了硅尖上纳米金刚石膜的场发射性质.实验结果表明,硅尖上纳米金刚石膜的场......
本文研究了纳米金刚石膜场发射的性质.纳米金刚石膜是利用热灯丝CVD法在Mo衬底上形成的.实验结果表明与多晶金刚石膜比较,纳米金刚......
介绍了用MPCVD方法制备纳米金刚石膜的工艺。用MPCVD方法实验研究了在光学玻璃上镀纳米金刚石膜:膜层厚度为0 4551μm,粒度小于200......
化学气相沉积法(Chemical Vapour Deposition,简称CVD)制备出的金刚石膜具有和天然金刚石相近的一系列独特性能,在航空、航天、国......
金刚石是一种性能优异的特别材料，它在自然界中的硬度极其高，杨氏模量也比较高（约1100GPa）。另外，它还具有其他优良性能，例如较高的热导......
本文采用自制石英管热丝化学气相沉积系统,深入研究了低温低压下在硅衬底上纳米金刚石膜的制备及性能研究。生长纳米金刚石膜所用......
CVD金刚石具有很多卓越的性能,与铍、钛等真空窗口材料相比,金刚石将其优异性能结合在了一起,金刚石不仅具有很好的机械性能（例如高......
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)技术,在CH4:H2中加入N2改变等离子体能量分布状态,提高二次形核比例,制备纳米金刚石膜......
采用直流热阴极PCVD方法,以B(OCH3)3作为硼源,通过改变氩气与氢气流量比,在p型Si衬底上沉积了硼掺杂纳米金刚石膜。研究了不同氩气......
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积( PCVD)技术,通过在CHJ/H2的混合反应气源中通入不同流量的N2,合成了掺氮纳米金刚石薄膜.结果......
采用直流热阴极PCVD方法间歇生长模式,在CH4-H2气氛常规制备微米晶金刚石膜的参数条件下,利用人工干预二次形核工艺,研究了间歇周......
在CH4/H2气氛下,利用直流热阴极PCVD(plasma chemical vapor deposition)设备,在高CH4流量下制备纳米金刚石膜。对制备的样品通过......
采用直流热阴极PCVD技术,在CH4-H2气氛常规制备微米晶金刚石膜的参数条件下,通过人工干预实现二次形核,制备纳米晶金刚石膜。金刚......
在CH4/H2气氛下,利用直流热阴极PCVD (Plasma chemical vapor deposition)设备,在低温低压下制备纳米金刚石膜.对制备的样品通过扫......
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积（PCVD）技术,在CH4,H2流量分别为6sccm和200sccm,反应室气压为6×103 Pa时,通过改变基底温度,制......
利用MPCVD方法在玻璃基片上成功的制备了非常光滑、致密均匀的纳米金刚石膜。沉积工艺分为两步 :成核 ,CH4 /H2 =3% ;生长 ,O2 /CH......
采用热阴极PCVD法,在CH4/H2的混合反应气源中通入不同气体（氩气、氮气）在P型（100）硅衬底上,合成了纳米金刚石膜。结果表明：Ar-90%时,金......
讨论大面积4cm×4cm纳米金刚石膜制备工艺．采用电子辅助-热丝化学气相沉积法（EA-HFCVD）在硅片上沉积纳米金刚石膜．生长过程中，预先......
研究了纳米金刚石外延薄膜的制备方法及其场发射特性.采用电泳方法将粒径20nm以下的纳米金刚石微晶沉积到Ti电极衬底上,用热丝CVD......
采用电子辅助-热丝化学气相沉积法（EA-HFCVD）在硅片上沉积出晶粒尺寸为30nm的均匀金刚石膜。生长过程中,预先加6A偏流生长1h,然后在0......
采用热丝化学气相沉积方法，以Ar＋CH4＋H2混合气体作为气源，通过改变氩气浓度，在单晶硅（100）基片上沉积纳米金刚石膜；采用扫描电子显微镜、原......
采用直流热阴极PCVD技术，经过生长温度的周期性调整，达到清除多余游离碳和刻蚀非金刚石相的目的，实现了在高甲烷浓度条件下制备纳米金......
本文研发了一种简便有效的在GaN半导体衬底上直接生长纳米金刚石膜的方法。研究发现,直接将GaN衬底暴露于氢等离子体中5 min即发生......
采用直流热阴级化学气相沉积（DC-PACVD）方法,以NH3＋CH4＋H2混合气体作为气源,通过改变氨气浓度,在单晶硅（111）基片上沉积纳米金刚石膜.采......
简要介绍了微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）方法在硅基底上制备纳米金刚石薄膜的过程，并对制备的薄膜进行了表面分析。在此基础上设......
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积（PCVD）技术,在CH4,H2流量分别为6sccm和200sccm,反应室气压为6×103 Pa时,通过改变基底温度......
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积（DC-PCVD）方法,以三聚氰胺（C3H6N6）的甲醇（CH3OH）饱和溶液为掺杂源,通过改变反应气氛中的Ar浓度,在P......
本文采用热灯丝CVD法在硅尖上制备了纳米金刚石膜，并研究了硅尖上纳米金刚石膜的场发射性质，实验结果表明，硅尖上纳米金刚石膜的场发......
采用双偏压热丝化学气相沉积法在不同栅极和衬底偏流下制备出纳米金刚石薄膜．采用Raman谱、SEM、AFM、纳米压痕法和XRD分析纳米金刚......
采用MPCVD技术,研究了CO2-CH4-N2体系中N2对纳米金刚石膜生长状态及晶界处H含量的影响。利用SEM,XRD,Raman,FTIR及TEM对纳米金刚石......
纳米金刚石膜的制备、表征和应用研究已经成为CVD金刚石膜研究领域的一个新的热点 .文章重点介绍了Gruen等人在贫氢和无氢环境中制......
用热丝化学气相沉积方法研究了低温（-550℃）和低反应气压（-7 Torr）下硅片上金刚石膜的成核和生长．成核过程中采用2．5％的CH。浓度，在经充分......
目的研究不同氮气浓度对氮掺杂纳米金刚石薄膜结构和电学性能的影响。方法在N2-CH4-H2体系中,以单晶硅作为沉积基底,使用MPCVD法进......
利用直流电弧等离子体喷射法沉积装置在底径Ф65mm高5mm的Mo球面衬底上成功制备出纳米金刚石薄膜，文章研究了在稳定电弧状态下碳氢......
对金刚石膜(及类金刚石膜)与传统光学材料的特性作了比较,分析了美军对于金刚石膜军用光学应用的需求以及金刚石膜在现有高科技武......
利用ＭＰＣＶＤ方法在玻璃基片上成功的制备了非常光滑、致密均匀的纳米金刚石膜。沉积工分为两步：成核，ＣＨ４／Ｈ２＝３％；生长，Ｏ２／ＣＨ４／Ｈ２＝０．３：３：１００；沉积过程中保持工作压力为４．０ｋＰａ，衬底温度......
采用热丝化学气相沉积法在氩/丙酮/氢气体系中研究衬底温度对纳米金刚石膜生长的影响,使用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、拉曼光谱......
金刚石膜有着高的热导率、宽禁带、高的介质击穿场强、高的载流子迁移率等优点,是非常理想的半导体材料.本文介绍了掺杂纳米金刚石......
纳米金刚石优异的物理化学性能,使其具有广泛的应用前景。特别是用在真空窗口领域具有极强的优势。相对微米金刚石薄膜,纳米金刚石......
围绕纳米金刚石膜生长的二次形核理论,利用直流热阴极PCVD技术,在微晶金刚石膜连续生长模式常用的一些生长条件下,通过改变工作气......
微波等离子体化学气相沉积装置用于制备纳米金刚石膜和纳米金刚石真空窗口,气源为H2、CH4、Ar和少量O2。扫描电镜、拉曼光谱、X射......
本文采用微波等离子体化学气相沉积(Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition,MPCVD)的方法,以硅为衬底,在不同实验条件下沉积......
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