本文利用直流对靶磁控溅射的方法在氮化硅、导电玻璃、玻璃以及多孔硅四种衬底上制备金属钒薄膜,然后对其退火氧化得到具有较高电阻温度系数的氧化钒薄膜,这是一种本课题组以前未曾尝试过的制备方法。本实验主旨为探讨在每种衬底上制备的氧化钒薄膜各自的电学特性,特别是电阻温度系数与制备条件的关系,利用扫描电子显微镜、X射线光电子能谱分析、X射线衍射等方法对薄膜的微观形貌及物质构成进行表征。采用正交实验法设计实验,对溅射压强、溅射时间、退火温度及保温时间进行了研究,分别得到了四种衬底上制膜的最佳制备工艺,并且总结归纳各种制备条件对氧化钒薄膜电阻温度特性的影响。氮化硅衬底的最佳工艺为:溅射压强1Pa、溅射时间20分钟、退火温度400℃、保温时间1.5小时;导电玻璃衬底的最佳工艺为:溅射压强1.5Pa、溅射时间20分钟、退火温度300℃、保温时间2小时;玻璃衬底的最佳工艺为:溅射压强1Pa、溅射时间10分钟、退火温度400℃、保温时间2小时;多孔硅衬底上的实验,证明高温退火氧化对多孔硅产生了严重损坏。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和X射线光电子能谱分析法,研究了薄膜的微观形貌和物相组成。根据实验结果,将金属氧化法与课题组以往使用的反应溅射方法进行对比,分析了两种方法的差异及各自的优缺点,拓展了氧化钒薄膜的制备方法。