论文部分内容阅读
本论文就是采用IDT/ZnO/ta-C/Si这种薄膜型复合结构来代替传统的IDT体压电材料传统结构，获得新型高频复合薄膜声表面波器件，以满足军事雷达、电子对抗系统、敌我识别器以及GPS扩频通讯等不同领域。
本论文先对层状结构中的声表面波传播特性进行分析计算，得出非晶金刚石增频衬底和压电薄膜厚度与声表面波相速度之间的变化规律以及sp3含量与声表面波相速度之间的依存关系，并用于指导IDT/ZnO/ta-C/Si器件的结构设计。
利用过滤阴极真空电弧系统在p(100)单晶硅衬底上制备了不同衬体偏压不同膜厚的ta-C薄膜，采用能量梯度法成功制备了非晶金刚石厚膜（＞0.5μm)。考虑到ZnO薄膜的具体制备工艺，本文还对ta-C薄膜在有氧和真空环境中的不同温度下的热稳定性作了深入研究，并进一步分析了热稳定性与薄膜沉积能量之间的关系。