席夫碱自组装单分子膜的电化学研究

来源 :首都师范大学 | 被引量 : 2次 | 上传用户:gqy2004
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本文对末端基团为—NH2的两种短链分子自组装膜和两种席夫碱自组装膜进行研究。通过电化学方法分别考察了末端基团为—NH2的两种短链分子自组装膜在Fe(CN)63-/4-溶液中特殊的循环伏安行为,和在含有Fe(CN)63-/4-离子的不同pH缓冲溶液中的循环伏安响应;以及两种席夫碱自组装单分子膜在不同pH的缓冲溶液中的电化学行为。主要的研究结果如下: 一、把带有—NH2的短链分子——半胱胺和4-氨基硫酚组装到金电极上形成自组装膜,在Fe(CN)63-/4-溶液中进行循环伏安扫描时,出现了不同于长链分子自组装膜的行为:峰间距变窄、峰电流变大的现象。这是由于两者在金上组装不够致密,以及末端的—NH2存在对Fe(CN)63-/4-的影响造成的。通过电流滴定的方法求算出半胱胺自组装膜和4-氨基硫酚自组装膜的表面pKb分别为2.4±0.2和4.7±0.2,并对其值小于溶液状态下的—NH2的pKb的原因进行了解释。 二、合成两种带有巯基的席夫碱SbASH和HOSbASH,这两种巯基席夫碱可以在金电极上形成较致密的自组装单分子膜。在pH为2.0~12.0范围内的缓冲溶液中,对SbASH和HOSbASH的自组装膜的进行循环伏安扫描时发现:在pH为2.0~10.0,SbASH和HOSbASH自组装膜出现了—C=N—的类似水解机理的断裂;在pH为10.0~12.0,SbASH和HOSbASH自组装膜分别在-1.067V和-1.105V(vs.SCE)电位下出现—C=N—的一个不可逆的还原峰,并对两者还原电位差异的原因进行了解释。推断其反应历程可能是一个先得到两个电子再得到两个质子的历程。
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