c轴取向相关论文
利用VO掺杂的WO为靶材,采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术(PLD),在非晶玻璃补底及硅单晶上沉积了WOx薄膜.利用X-射线衍射(XRD)......
<正>Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独......
采用直流平面磁控反应高速率溅射的方法制备 ZnO 薄膜。讨论了衬底倾斜放置时,改变衬底偏压对柱状织构倾斜度及比取向度,f_((002)(......
Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地......
采用磁控溅射方法,在Si衬底和LiNbO3薄膜之间引入SiO2过渡层制备LiNbO3薄膜。采用X射线衍射(XRD〉、傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)和......
利用VO掺杂的WO为靶材,采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术(PLD),在非晶玻璃补底及硅单晶上沉积了WOx薄膜.利用X-射线衍射(XRD)......
硫属氧化物铋铜硒氧(BiCuSeO)是一种层状结构的p型半导体材料,具有极低的本征热导率,在中高温热电领域有着重要的应用前景。目前国......
学位
氧化锌(ZnO)是一种具有六方纤锌矿晶体结构的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。以其优良的物理特性,ZnO薄膜在众多领域得到了广泛的应用。......
由于ZnO材料独特的半导体特性,ZnO在光电、压电、传感器、生物电子方面已经吸引了众多的研究兴趣。室温下3.37eV禁带宽度和较高的激......
六角磁铅石钡铁氧体薄膜材料由于其具有优异的化学稳定性、较高的饱和磁化强度、较高的矫顽力以及高的垂直磁晶各向异性场而被视为......
M型钡铁氧体(BaFe_(12)O_(19),BaM)属于六角晶系磁铅石型铁氧体材料,具有良好的化学稳定性、机械硬度和抗腐蚀性,高的垂直磁各向异......
氧化锌(ZnO)是一种新型的宽禁带Ⅱ-Ⅳ族化合物半导体材料,禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO薄膜具有优良的光学、电学性能......
采用LiNbO3单晶靶材,以激光脉冲沉积方法在六方GaN(0001)基片上沉积制备c轴取向的LiNbO3薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显......
在制备NbN/AlN/NbN隧道结的工艺过程中,为了获得具有优质单晶结构的NbN薄膜,我们在MgO(111)基片上探索了直流溅射法制备NbN薄膜的......
采用脉冲激光法 (PLD)在Si衬底上沉积Zn1 -xMgxO薄膜 .x射线衍射 (XRD)表明薄膜为c轴取向 ,(0 0 2 )峰的半高宽仅为 0 .2 11° ,且......
本文采用直流磁控反应溅射法,在单晶Si(110),Al/Si,Diamond/Si三种衬底上分别生长出了高度c轴取向的ZnO薄膜.此薄膜具有高质量的纳......
采用Sol-gel法,在普通载玻片上使用旋转涂覆技术生长了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜.用热分析、XRD、SEM等手段对薄膜样品进行了......
采用Sol-gel法,在普通载玻片和Si(100)上使用旋转涂覆技术制备了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜。利用XRD和SEM研究了衬底和热处理温度......
利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态SiO2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度c轴取向性的LiNbO3光波导薄膜.利......
通过优化口模流场的拉伸应变速率,利用柱塞式挤出机(名义拉伸比为18.48),在低于聚丙烯(PP)熔点的145-155 ℃区间,固相挤出了自增强PP片材,......
采用溶胶-凝胶法在硅(100)和玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(ZnO:Al)薄膜.当掺Al^3+浓度小于或等于15%时,得到的薄膜均为单一c轴取向.c轴晶格常......
采用单源化学气相沉积(SSCVD)法,在Si(100)基片上通过改变前驱反应体与基片的入射角度,获得了可控柱状取向的ZnO薄膜。研究发现,入射......
采用射频磁控溅射法制备了c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体(BaM)薄膜,研究了溅射功率对BaM薄膜取向及磁性能的影响。结果表明,在溅射功率......
提出了一种制作ZnO/金刚石/硅结构声表面波器件的新工艺。利用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,通过逐次调整气压、碳源浓度等生长参数,......
采用射频磁控溅射技术在SiO2/Si上淀积高C轴取向的ZnO薄膜,在氧气和氩气的混合气氛、不同温度(400~900℃)下进行快速热退火处理。利用X-......
本文采用直流磁控反应溅射法,在单晶S,(110),A1/Si,Diamond/Si三种衬底上分别生长出了高度c轴取向的ZnO薄膜.此薄膜具有高质量的纳......
在氧压20Pa,衬底温度600℃,靶材与衬底距离4cm的最优化条件下,利用脉冲激光沉积(PLD)技术首次在无诱导电压和任何缓冲层的情况下,......
本文研究了MOCVD法淀积过程中工艺条件对PbTiO3膜c轴取向度的影响,探讨了PbTiO3膜的生长过程,通过调节氧气流量首次在MgO(100)单晶衬底上淀积出c轴取向的PbTiO3外延膜。......
探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析.研究表明......
采用射频磁控溅射技术,用富Li的LiNbO3靶材在Si(100)和Si(111)基底上制备了LiNbO3薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线......
MFI型沸石分子筛,由于其具有较宽合成条件、合适均一的孔径、可修饰和改性的骨架和孔道系统,高的热稳定性、水热稳定性、化学稳定......
用硝酸铁和硝酸钡作起始原料,柠檬酸作螯合剂,采用溶胶凝胶工艺(Sol-Gel)在Si(100)基片上制备出具有c轴取向的BaFe12O19铁氧体(BaM)薄膜.采......
用溶胶-凝胶法在玻璃载玻片上制备Li∶ZnO薄膜, 涂膜采用旋涂法.薄膜通过二次涂膜而形成.用X射线衍射、原子力显微镜、扫描电镜和......
采用射频反应磁控溅射在蓝宝石(0001)衬底上沉积生长了掺杂Er的AlN薄膜。利用X线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜......
随着现代电子设备信息处理量的扩大,通信载波频率必须向更高的频段移动,声表面波(SAW)滤波器是现代无线移动通信系统的关键器件之......
以二水合醋酸Zn为原料,采用反应沉积方法在非晶玻璃衬底上制备出了高度c轴取向、结晶良好的ZnO薄膜.研究了不同衬底温度和Zn源温度......
本文采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3(LN)晶体薄膜,研究氧气压强对薄膜质量的影响.结果表明,氧压是生长c轴择......
采用离子束反应溅射法在玻璃基片上沉积了一系列ZnO薄膜样品.通过对薄膜样品XRD谱的分析,发现基片温度和溅射氧分压是同时影响ZnO......
在室温条件下,采用脉冲激光沉积技术在玻璃衬底上生长了ZnO薄膜.对薄膜的XRD分析表明,ZnO薄膜为六方纤锌矿结构并沿c轴取向生长,且......
农村偏远地区是我国经济发展较为薄弱地区,其电网基础设施普遍相对落后,传统电网不能覆盖全部区域,难以满足当地经济社会发展的需......
超导体/半导体结(Superconductor/semiconductor p-n junction)在制备场效应管,晶体管方面具有巨大的潜力.本文通过脉冲激光沉积的......
实验利用射频磁控溅射镀膜工艺,分别在光纤和石英玻璃上成功制备了ZnO薄膜.采用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计对薄膜......
当ZnO-SiO2-Si结构中的ZnO薄膜C轴取向偏离基片法向时,将对声表面波传播速度,机电耦合系数等参量产生影响。本文对此问题进行了理论分析和数值计算;同......
LiNbO3因具有优异的电光、压电、非线性光学等特性,已被广泛应用于声表面波及集成光学器件中。制备集成光学器件常需将LiNbO3制成......
首次使用非晶Ba-Fe-O衬底层来控制钡铁氧体(BaM)薄的取向芝种非晶层决定了六角M相的结晶并改善了其晶化度。应用这各非晶衬底层,制备了c轴垂直于膜......
采用超声电化学沉积生长了C轴取向的ZnO薄膜,并与常规电化学沉积生长的ZnO薄膜进行了比较。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、......