金刚石由于特殊的晶体结构使其具有优异的导热性、透光性、半导体性能，这些特殊的性能使它在很多高技术领域具有十分广阔的应用前景。掺硼金刚石薄膜(Boron-doped diamond films, BDD)作为一种新型的p型半导体材料，被科研工作者用作阳极材料应用于电化学领域。金刚石薄膜电极和金属、石墨、玻璃碳等电极相比，具有很多的优点。为了有效地提高 BDD电极电化学氧化效率，降低能耗，在制备过程中不仅需要选择最佳制备工艺使它的电学性能最好，还要求研究它在电化学氧化效率方向的影响因素。　　本文采用热丝化学气相沉积(Hot filament chemical vapor deposition, HFCVD)的方法，在处理干净的钽基片上制备BDD。利用原子力显微镜(Atomic force microscopy, AFM)、金相显微镜、X射线衍射（X-ray diffraction，XRD）和电化学工作站对薄膜的晶体结构、表面形貌、电化学性能进行表征和分析。研究了不同 C/B原子个数比对金刚石薄膜形貌的影响。利用电化学工作站采用循环伏安法对BBD电极电化学特性进行了分析，讨论了掺杂对BDD电极的电化学性能的影响。本文从电压、电极间距、电解液浓度、电解液种类、阴极和阳极之间是否加 BDD薄膜中间电极等几个方面对电化学氧化效率进行了研究。　　本文得出：随着掺硼浓度的升高，金刚石晶粒的大小和结构致密程度先优后劣，由此可知，少量的硼掺杂有利于金刚石在钽基片上的形成，当掺杂浓度达到一定的程度，金刚石的在钽基片上的形核质量变差，不利于金刚石薄膜的生长，并且它的电学特性也变差；掺杂源为 B2O3，C/B原子个数比为10000/1时制备的 BDD电极在电解液中电化学窗口可达4.2V。不加 BDD中间电极时，电化学氧化效率随着电压的升高而升高，但是电压超过一定范围，电化学氧化效率随着电压的升高而降低；电极间距为1、3、5时，电极间距越大，电化学氧化效率越低；电解液浓度越小，电化学氧化效率越低；不同的电解液对电化学氧化效率也有影响，影响规律不仅与电解液的浓度有关，还和电解液液中是否含有金属离子有关。加 BDD中间电极时，电化学氧化效率随着电压的升高而升高。