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随着通讯频带的高频化快速发展，高频、高功率SAW器件成为高频通讯的关键器件。一方面进一步减小IDT特征尺寸；另一方面采用高声速衬底材料及压电材料来提高器件中心频率。基于高声速的金刚石多层膜结构成为超高频SAW器件的首选，相应的金刚石多层膜结构中压电材料的优化设计、沉积工艺及器件构建技术备受关注，近年来已成为高频SAW器件领域的研究热点。本文基于c‐BN、ZnO压电薄膜，针对金刚石多层膜结构的高频SAW器件的设计及构建开展了如下创新工作：【1】采用射频磁控溅射工艺，在Si和金刚石衬底上成功制备高立方相含量（达96%）c‐BN薄膜，表面粗糙度RMS值达2.3nm以下。压电性能测试表明，立方氮化硼薄膜具有较好的压电性能，且能够实现极化翻转；Cu、Pt作为压电测试底电极，微区最大有效相对压电系数分别为0.119和0.122，相比之下，Pt底电极上样品的压电性能更加灵敏。【2】优化氧化锌薄膜沉积工艺基础上对其进行了平坦化研究，基于pH值及抛光压力的优化获得了1.2nm粗糙度的表面（20×20μm2），并探索了相应的CMP机理。通过平坦化处理，氧化锌的压电信号得到明显增强，且均匀性大幅度提高，有利于进一步提高SAW器件性能的稳定性。【3】基于c‐BN、ZnO压电特性分析基础上，构建并制备了(ZnO/BN)n复合薄膜，探索叠层复合结构对微区压电特性的影响。结果表明，叠层结构的相对压电系数高于单独的c‐BN的压电系数，ZnO和BN复合比例为50nm:50nm时，样品具有最高的压电系数和最好的压电均匀性，适于高频SAW器件的制备。【4】基于优化的c‐BN及BN‐ZnO叠层结构，分别构建了SAW器件单元。利用集成电路光刻技术，在“BN／diamond/Si”多层膜上制备特征尺寸1.5μm的Al叉指换能器，裸器件单元的中心频率达到1.65GHz，插入损耗21.244dB，相速度达9900m/s；在“(ZnO/BN)n/Diamond/Si”多层膜上制备叉指宽度为2.0μm的IDT，裸器件单元的中心频率分别为1.12GHz，插入损耗10.648dB，SAW相速度为8960m/s。