硫系材料具有许多优良且独特的光学特性,其非线性折射率较大、光学透过范围宽、声子能量低。较大的非线性折射率使其在光放大、全光开关、超连续光谱和波长转换等多项光学应用中发挥着重要作用,极宽的红外可透范围,使其在近红外（IR）和中红外（mid-IR）光谱区域得到广泛应用。而组分设计对于调节硫系材料性能具有重要意义,本文基于典型的Sb2Se3二元硫系材料,通过引入重原子硫族元素Te和Ge Te化合物对其进行掺杂改性。采用磁控溅射法分别制备了Sb2Se3-Te和Sb2Se3-Ge Te两个体系薄膜,来研究其红外透过,光学带隙和折射率等光学性质,并研究薄膜的结晶行为及其晶态和非晶态结构。主要研究内容如下:1、研究了Sb2Se3-Te体系薄膜的光学性质,结晶行为,非晶态和晶态结构以及电学特性。研究发现,随着Te掺杂含量的增多,短波截止波长发生明显红移,且非晶态的光学带隙逐渐减小,通过椭偏仪测试并拟合推算,其对应的折射率随着Te含量的增多而增大,这归因于重原子Te本身的高折射率。通过沉积态和热处理后XRD和Raman的测试表征,研究了Sb2Se3-Te薄膜结晶行为,发现Te的引入没有完全抑制原有的Sb2Se3晶体析出。通过自制的电阻-温度测试系统,可测得薄膜样品的结晶温度Tc随着Te含量的增大而逐渐减小。此外,研究结果还表明,当Te含量大于29.0 at.%时,薄膜存在两步结晶行为,同时二次结晶温度随着Te含量的增加而逐渐增大。2、研究了Sb2Se3-Ge Te体系薄膜的光学特性,结晶行为及其非晶态和晶态结构。研究发现,随着Ge Te掺杂含量增多,短波截止波长发生红移,其非晶态光学带隙随着Ge Te含量的增大而逐渐减小。通过比较沉积态和不同温度退火后的薄膜XRD和Raman的测试结果,证实结晶过程中Sb晶体会伴随原有的Sb2Se3晶体析出。此外,不同于Te单质掺杂,随着Ge Te掺杂含量的增加,Sb2Se3薄膜的结晶温度Tc呈现出先大幅增加后逐渐减小的趋势,当Ge Te掺杂含量为15.7 at.%时,其结晶温度最高（284℃）,表明少量Ge Te掺杂可显著增强薄膜热稳定性,此时非晶态和晶态电阻比约达到4个数量级,这也体现了其在相变存储方面的潜在应用。