锥形半导体激光器以其亮度高、光束质量好、制备工艺简单而被广泛应用于空间通讯、固体激光器泵浦、光纤放大器、医疗等领域,成为半导体激光器研究领域的热点。国内外对锥形半导体激光器的研究主要集中于其光束质量,而有关锥形半导体激光器温度特性的报道较少。温度一直是影响大功率半导体激光器性能的重要因素之一,半导体激光器在工作工程中,注入电流在芯片内部要产生部分热量,使器件的工作温度升高、发射光波长漂移并缩短器件的寿命。研究温度对锥形激光器性能的影响,掌握锥形激光器基本性能参数随温度的变化规律,对于指导锥形激光器的制备和应用就显得尤为重要。本论文主要研究了锥形半导体激光器的温度特性,对比相同有源层结构的条形激光器,我们分析了温度变化对这两种半导体激光器功率、特征温度、光谱以及远场特性的影响,分析结果表明锥形半导体激光器较条形半导体激光器特征温度高出近一倍,前者较后者具有更好的温度稳定性。同时,作为工作之一,本论文还从工艺角度对单管焊接进行研究分析。针对实验室新进的德国centrotherm VLO20回流焊接炉设备,在国内首次采用还原性气氛下的Au/In等温凝固烧结工艺,制定了一整套较为完整的实验方案,初步确定了影响单管焊接质量的几个因素,主要包括：铟厚度、压力、回流焊接曲线(包括焊接温度,时间,温升等)以及表面环境(包括铟表面粗糙度及杂质颗粒数,芯片表面平整度及杂质颗粒数)。采用自主设计制作的夹具对以上因素分别进行对比分析,初步确定了焊接流程工艺参数,为后期实现高功率单管焊接打下了一定的实验基础。通过Au/In焊料我们为器件实现了稳定可靠的物理支撑以及良好的散热。