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基于有机半导体材料的薄膜晶体管（OTFT）具有质量轻、柔韧性好并且可以与塑料衬底相容的特性,被认为是未来有机电子技术的关键组件,在印刷逻辑电路、显示器和传感器等领域具有广泛的应用前景。尽管有这些独特的优点,但是迄今为止,报道的绝大多数有机光电晶体管通常在超过| 20 |V的高电压下工作,这是主要的技术瓶颈,因为大多数目标设备需要在较低的电压（即<| 10 |V）下使用。因此,有机薄膜晶体管技术在光电传感器中的成功应用,不仅需要开发高性能器件结构,而且需要开发低工作电压的有机薄膜晶体管。因此,研究低伏有机薄膜晶体管中的绝缘层的电学特性和表面形态是必要的。本论文的主要工作如下:（1）开发了一种制备平滑铝栅电极的剥离方法。与热蒸镀沉积的粗糙度为3.5 nm的铝相比,剥离的铝电极的粗糙度显着降低为0.9nm。对铝栅电极进行恒电位阳极氧化之后,氧化铝的粗糙度略有增加,为1.50nm。通过恒电位阳极氧化,并用正十八烷基膦酸改性的剥离氧化铝适合作为绝缘层,在-2 V的电压下,漏电流密度约为10-7A/cm-2,电容密度为0.114μF/cm2。剥离的恒电位阳极氧化AlOx作为绝缘层,DNTT作为半导体层的OTFT的迁移率高达0.53 cm2 V-1s-1。作为OTFT的半导体层的DNTT具有450nm波长的光的光响应性,并且可以检测到5 μW/cm 2的弱光强度。（2）以PBIBDF-BT共轭聚合物为半导体层,正十八烷基膦酸表面修饰剥离的阳极氧化铝为绝缘层,制备了低伏有机薄膜晶体管,其迁移率为0.038 cm2 V-1s-1,阈值电压为0.64 V,开关比为3.25×103。由于有机薄膜晶体管的半导体层为PBIBDF-BT共轭聚合物,具有近红外传感的性能。采用波长808 nm,光强45.6 mW/cm2的光照照射,在漏极电压VD = 5V,栅极电压VG=1V时,漏极电流增加0.7 nA,显示出近红外光传感的性能。（3）成功制备了具有功能基团的（6-叠氮基己基）膦酸,通过将（6-叠氮基己基）膦酸与炔端基PVP反应,修饰到氧化铝的表面作为绝缘层,电容密度为2.52×10-6F/cm2。在绝缘层表面生长并五苯半导体层,制作成器件,此器件可以在低电压,4V下工作。迁移率为0.025cm2V-1s-1;阈值电压为-1.4V;开关比为1×104;亚阈值摆幅为0.69 V/dec。该性能虽然不高,但是验证了（6-叠氮基己基）膦酸在改性绝缘层表面性能方面的应用,为进一步制备功能化的器件提供了基础。