纳米ZnO镶嵌SiO<,2>薄膜的磁控溅射制备及光学特性研究

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  本文介绍了纳米ZnO具有体材料所不具备的表面效应和量子尺寸效应,从而产生了许多优异的光、电、磁等方面的性质,在光通讯、光存储、全色显示等领域具有广阔的应用前景。采用射频磁控反应溅射方法在SiO2衬底上制备了纳米ZnO镶嵌SiO2薄膜。在室温下利用吸收光谱和光致发光光谱研究了样品的光学性质。发现吸收光谱随纳米ZnO尺寸的减小发生了明显的蓝移,表明随着ZnO尺寸的减小,量子尺寸效应增强,导致带隙展宽,吸收峰蓝移。光致发光光谱在387nm和441nm附近出现了两个发光带,分析认为紫外发光来源于自由激子的辐射复合,而蓝色发光带来自于氧空位的电子到价带的跃迁,并用时间分辨光谱和发光衰减证实了上述观点。
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