第二代高温超导带材YBa₂Cu₃O_7-x（YBCO）以其高不可逆场和大电流承载能力,在输电线缆、电动机、超强磁体、限流器等领域有着极其广阔的应用前景。但是目前仍有一些限制高温超导带材的商业化应用因素如:高质量的双轴织构、带材的均匀性和低的带材制备成本。因此,本文致力于在金属基底上制备低成本、高质量双轴织构缓冲层。主要内容有:1、利用溶液沉积平坦化（SDP）系统在哈氏合金（Hastelloy C276）基底表面制备出适合IBAD-MgO生长的Y₂O₃非晶薄膜衬底,采用离子束辅助沉积（IBAD）技术,在Y₂O₃非晶薄膜表面制备MgO双轴织构缓冲层。通过对离子束辅助沉积系统中各参数的研究与分析,得到了IBAD-MgO薄膜形成双轴织构的最优工艺,可以制备出面外半高宽3°、面内半高宽6°的MgO薄膜。实验过程中我们发现:在各影响因素中,沉积速率对薄膜的面内外织构影响最为显著。得到的IBAD-MgO薄膜表面粗糙度为2nm左右,可以为后续LMO层的制备提供条件。并且成功制备出一条40m长的IBAD-MgO带材,经测试,其面外半高宽3°左右、面内半高宽6°左右,说明薄膜织构质量较好且均匀性良好。2、由于IBAD-MgO薄膜形成双轴织构的条件较为严格,于是利用离子束辅助沉积系统对新材料进行实验,发现Na F和Na Cl都可以用IBAD技术实现薄膜的织构化,经织构化的Na F薄膜面外和面内半高宽分别为2.1°和6.9°,Na Cl薄膜面外和面内半高宽分别为2.8°和7.7°。与MgO的IBAD织构化工艺相比,它们的制备工艺窗口宽:Na F和Na Cl薄膜形成较优双轴织构对沉积速率的要求分别为0.1-0.25nm/s和0.05-0.3nm/s,而MgO的沉积速率范围是0.175-0.2nm/s;对Y₂O₃非晶层衬底的表面粗糙度要求低:IBAD-Na F在涂覆了8层的Y₂O₃非晶层（RMS=5.2nm）上就可以形成质量较好的双轴织构,IBAD-Na Cl获得较优的双轴织构只需要涂覆4层的Y₂O₃非晶层（RMS=9.7nm）衬底即可。IBAD-Na F和IBAD-Na Cl获得双轴织构的实现难度低,可以提高制备效率并降低成本。