晶圆键合相关论文
为提升微机电系统（MEMS）器件的性能及可靠性，MEMS圆片级封装技术已成为突破MEMS器件实用化瓶颈的关键，其中基于晶圆键合的MEMS圆片级封......
异构集成技术是通过集成不同材料和工艺的器件,提高芯片整体的性能的一种高密度、高融合度的集成技术。异构集成器件能够在设计之......
介绍了硅基三维异构集成模块金属互连失效的一种定位方法.通过分析集成模块的金属互连结构,采用介质层剥离、金刚刀裂片、磨削制样......
随着半导体技术领域对低温晶圆键合技术的需求不断增长,表面活化键合(Surface activated bonding,SAB)技术开始被广泛研究.与其他......
硅基异构集成和三维集成可满足电子系统小型化高密度集成、多功能高性能集成、小体积低成本集成的需求,有望成为下一代集成电路的......
晶圆-晶圆键合技术突破了传统晶圆平面工艺,但键合晶圆的光刻对准图形及其他辅助图形有特殊的位置摆放和形貌绘制要求,而传统方法......
近年来,LED光源在我国发展十分迅速,其低能耗、支持高速开关、响应速度快、冷光源等特点,相比其他光源具有极大的技术优势,在我国......
3D集成技术包括晶圆级、芯片与晶圆、芯片与芯片工艺流程,通过器件的垂直堆叠得到其性能的提升,并不依赖于基板的尺寸和技术。所有......
晶圆键合技术因为其可以将不同晶格常数不同晶向的材料结合在一起的优势,使得它在微机电系统MEMS(Micro-Electro-Mechanical-Syste......
针对化合物半导体与Si基晶圆异质集成中的热失配问题,利用有限元分析方法开展GaAs半导体与Si晶片键合匹配偏差及影响因素研究,建立......
为快速推动Micro-LED显示器产业化发展,结合Micro-LED微显示器的性能特点、制造工艺流程和产品应用优势,重点分析了基于硅/蓝宝石......
随着目前多个行业的发展例如通讯、计算机等对芯片性能的需求越来越高,体积需求也越来越高,这使得器件晶圆的厚度越来越小,随之而......
利用Ar等离子体对晶圆表面进行激活处理,随后进行Ni-Si晶圆键合。研究了等离子体表面激活过程中的气体流量和反应离子刻蚀功率对晶......
目前,3D集成技术的优势正在扩展消费类电子产品的潜在应用进入批量市场.这些新技术也在推进着当前许多生产工艺中的一些封装技术包......
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金金热压键合法在半导体制造领域中应用广泛,为了进一步改进该键合方法,首次提出了一种基于点压技术的新型晶圆键合方法,并研究了......
本文在采用键合工艺制备以硅为衬底的氮化镓发光二极管的工艺过程中分别尝试采用金-金，金-硅，铝-铝，铝-硅键合对。研究发现金-金键合......
声表面波器件向小型化、集成化、更高性能方向发展,需要制作复合单晶薄膜和采用晶圆级封装。该文针对关键工艺中的晶圆键合工艺开......
发光二极管(light-emitting diode,LED)是一种新的光源概念,具有安全可靠、高效节能以及环保等优点,在照明、背光以及显示等诸多领......
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以苯并环丁烯(Benzocyclobutene,BCB)作为键合层,采用离子注入剥离技术制备了Y36切型的单晶铌酸锂薄膜材料。经过对BCB键合层的前......
<正>全球领先的晶圆键合及光刻设备供应商EV Group(EVG)日前宣布,为加强中国半导体市场的实力,将在中国推进批量制造工艺解决方案......
Ga N基发光二极管(LED)中的残余应力状态对器件的性能和稳定性有很大影响.通过使用三种不同的键合衬底(Al2O3衬底,Cu W衬底和Si衬......
本文在采用键合工艺制备以硅为衬底的氮化镓发光二极管的工艺过程中分别尝试采用金-金,金-硅,铝-铝,铝-硅键合对。研究发现金-金键......
＂超越摩尔定律＂时代将继续推动半导体行业的创新和发展。因利用光刻技术缩小半导体尺寸的成本日益高昂且难以实施,业界将重点关注新......
阐释3D集成技术的发明创意,分析2D-IC互连瓶颈的挑战,例示3D-IC的优点,详论3D集成工艺技术的发展,简介3D集成设计技术,研究结论是3......
