等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,简称PECVD)是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种制备技术。通过控制薄膜制备工艺参数的变化,从而获得各个其对制备不同折射率光学薄膜厚度均匀性的影响趋势。研究PECVD制备光学薄膜均匀性控制技术,明确光学薄膜制备过程中均匀性的控制方法,对于采用PECVD技术制备光学薄膜的应用有着广泛的意义。本文采用PECVD技术分别在Φ150mm的B270和硅片基底上沉积了光学薄膜,研究了高折射率、中间折射率以及低折射率膜层的光学厚度均匀性,分析了不同工艺参数对薄膜的光学厚度均匀性的影响。研究结果表明,PECVD技术沉积光学薄膜,在Φ150mm范围内薄膜折射率均匀性优于几何厚度,光学厚度均匀性主要源于几何厚度分布的不均匀。当采用高折射率薄膜最佳工艺沉积时,所得薄膜平均折射率为1.87(550nm处),平均几何厚度为106nm时,光学厚度非均匀性为3.9%；当采用中间折射率薄膜最佳工艺沉积时,所的薄膜平均折射率为1.47(550nm处),平均几何厚度为195nm时,光学厚度非均匀性为4.2%；当采用低折射率薄膜最佳工艺沉积时,所的薄膜光学薄膜平均折射率为1.40(550nm处),平均几何厚度为137nm时,光学厚度非均匀性为4.6%。