吸波材料作为隐身技术的重要组成部分,其性能取决于吸收剂对电磁波的损耗能力。对于武器装备高温部件的隐身以及高温下的电磁波屏蔽等,都需要能承受高温的微波吸收剂。SiC作为性能优异的耐高温材料,在高温吸波材料领域有着广泛的应用前景。本文采用燃烧合成法制备B/Al、B/N和Al/N共掺杂的SiC粉体吸收剂,通过X-射线衍射分析、X射线光电子分析、扫描电子显微镜和介电性能测试等,系统的研究了共掺杂SiC粉体吸收剂制备、结构和性能之间的关系,深入讨论了共掺杂对SiC吸收剂微波介电性能的影响及其相关机理。以Si粉和炭黑为原料,B粉为掺杂剂,PTFE为化学活性添加剂,制备B掺杂SiC粉体吸收剂。研究了不同B掺杂量对其性能的影响。结果表明:所合成纳米粉体的介电常数实部ε′、虚部ε″和损耗角正切tanδ值均随着B掺杂量的增加而降低。同时,采用Al粉为掺杂剂合成Al掺杂SiC纳米粉体,发现当Al的掺杂量增加至10%和15%时,合成产物中出现的Al2O3杂质相。当Al掺杂量为10%时,样品的ε′、ε″和tanδ值最高,分别为ε′=5.2~5.5、ε″=1.5~1.7、tanδ=0.29~0.31。以B粉和Al粉为掺杂剂,制备B、Al共掺杂的SiC粉体吸收剂。结果表明:当B掺杂量为5%,Al的掺杂量分别为5%、10%和15%时所合成样品的ε′、ε″和tanδ值均小于未掺杂Al的SiC样品;当Al掺杂量为10%时,所制备样品的ε′、ε″和tanδ值最大,分别为ε′=3.5~3.6,ε″=0.375~0.4和tanδ=0.09~0.1。当Al掺杂量为5%,B的掺杂量分别为5%、10%和15%时,合成样品的ε′、ε″和tanδ值均随着B掺杂量的增加而降低。以NH4Cl为氮化剂,B粉为掺杂剂,采用燃烧合成法,制备B、N共掺SiC粉体吸收剂。发现不同N掺杂量时,均制备了较纯的B、N共掺杂β-SiC纳米粉体。微波介电性能研究表明,合成样品的ε′、ε″和tanδ值均随着N掺杂量的增加而减小。又研究了不同B掺杂量的影响。同样地,合成样品的ε′、ε″和tanδ值均随着B掺杂量的增加而减小。以Si3N4为氮化剂、B粉为掺杂剂,采用燃烧合成法,制备B、N共掺杂SiC粉体吸收剂。XPS分析证明了B、N成功地掺杂进入SiC晶格。介电性能结果表明,不同N掺杂量合成样品的ε′、ε″和tanδ值均随着N掺杂量的增加先减少后增加。当B掺杂量为5%、N掺杂量为15%时,共掺杂样品的ε′、ε″和tanδ值高于未掺杂样品。但是,不同B掺杂量时,共掺杂样品的ε′、ε″和tanδ值均小于未掺杂SiC样品,其随着B掺杂量的增加先减少后增加。以Al粉为掺杂剂,Si3N4为氮化剂,采用燃烧合成法,制备Al、N共掺杂的SiC粉体吸收剂。结果表明:当Al的掺杂量为5%,不同N掺杂量时,发现掺杂样品的介电常数实部ε′、虚部ε″和tanδ均小于未掺杂样品,且随着N含量的增加而减少。对N掺杂量为5%,不同Al掺杂量的影响研究表明,当Al的掺杂量为10%、15%时,合成产物中出现了Al2O3的杂质峰,样品的介电常数实部ε′、虚部ε″和tanδ整体上随着Al掺杂量的增加逐渐减小。