半导体发光二极管因其功耗低,体积小,寿命长,发光效率高,节能环保等突出优点而被广泛应用。为研究出适用于照明和超高亮度领域的高性能发光二极管,还有一些关键技术需要研究解决。本论文围绕新型倒装结构LED进行了深入的理论分析和实验研究,通过分析AlGaInP系材料特性、LED发光机理,从器件结构以及制作工艺着手研究进一步提高倒装红光LED的发光效率。主要研究工作可归纳如下:　　 论文首先对AlGaInP/GaAs材料系进行了简单介绍,从理论上对高亮度多量子阱(Mow)结构LED进行了分析,从理论上阐述了LED的发光原理。并简单介绍了LED制造工艺,以及其重要的电学以及光学特征参数,这些参数对我们分析和评判LED的性能具有很大作用。　　 其次,对于倒装结构涉及的键合技术进行了详细介绍。对各种键合方法和键合用的设备进行了简单介绍,总结评价键合质量的检测手段,讨论了影响键合质量的各种因素;分析了倒装LED键合工艺中出现的问题,并提出了优化解决措施。键合技术是倒装结构LED所涉及的关键技术之一,键合技术的优化对倒装LED性能的提升有很大作用。　　 再次,提出倒装高亮度AlGaIrtP红光LED新结构,并对倒装结构LED涉及的关键技术进行了理论和实验研究,总结了倒装AlGalnP LED的详细工艺步骤。重点研究了GaP/SiO2/Au ODR和GaP/ITO/Au ODR结构对LED性能的影响,比较了两种ODR结构的优劣,并从理论上分析了其物理原因;分析比较了8μm厚GaP LED和0.6μm厚GaP LED的光电特性,指出0.6μm厚GaP LED在相同注入电流下,光强和光功率都要优于8μm厚GaP LED,但前者比后者电流扩展效果要差一些,导致正向压降高。　　 最后,提出表面粗化的倒装高亮度.A1GalnP L,ED的设计思想,分析了粗化提高出光效率的基本理论,介绍了表面粗化的方法和粗化形貌检测手段。研究了实际的表面粗化的工艺制备方法,制备出实际的粗化背面的AlaInP红光LED器件。测试结果显示,20mA时,表面粗化的倒装LED的轴向光强和光功率分别达到了315mcd,4.622mW,而未粗化的倒装LED则分别为173mcd和2.71mW,前者比后者分别提高了82％和70％,表面粗化能显著提高倒装AlGaInP LED的性能。