随着我们进入大数据时代,日益增长的庞大数据量对于数据信息存储器的要求越来越高,假如在微纳米尺度上实现电场调控磁性,就可以对信息存储密度做进一步改进,有助于解决这些问题。多铁性材料作为一种多功能材料,在不同序参量之间存在磁电耦合作用,优于单一的铁性材料,其中纳米尺度的2-2型复合薄膜异质结,直接将铁磁材料镀制到铁电衬底上形成的复合薄膜结构,可以得到强磁电耦合性能,而随着“自旋电子学”的新起,在界面处引入电荷、自旋、轨道、晶格等自由度,带来了进一步优化磁电耦合性能的途径。多层膜体系有利于在纳米尺度下多维度的研究磁电耦合效应及各种物理机制,相比于单层膜,有其不可比拟的优越复合性能。本文遵循单层到多层的原则,分析不同耦合机制下的磁电性能的变化规律,从而揭示多层膜中潜在的相互作用机理。本课题以FM/NM类型异质结为主体,主要研究内容如下:首先,采用磁控溅射工艺以硅片、Pt/Ti/SiO₂/Si、压电单晶作为衬底,制备了Ni Fe、Fe Al、Fe Co、Fe Co V四种铁磁层薄膜,并对制备的薄膜样品的物性和磁性进行测试表征。结果表明:（1）制备的薄膜表面形貌、性能满足实验要求;（2）Ni Fe合金作为铁磁层的铁磁共振效应最佳;（3）以Pt/Ti/SiO₂/Si作为衬底外延沉积的薄膜铁磁共振效应、沉积薄膜质量都优于其他样品。其次,以Pt/Ti/SiO₂/Si作为构建多层膜体系的参照物,鉴于过渡层Ti和极化层Pt对薄膜表面形貌的巨大影响,由此带来薄膜磁性能的改变,分析了将其引入磁电多层膜的可能性。本文制备了以Au、Ag、Cu为极化层、Ta为过渡层的异质结,通过对薄膜样品的形貌和铁磁共振测试得到其对薄膜性能的影响规律,确定最佳极化层为Ag;过渡层Ta可以起到缓冲作用。基于上述研究,确定和完善了多层膜复合异质结的构型。最后,在多层膜制备的基础上,对电场调控多层膜异质结的铁磁共振效应进行探究。在FM/FE异质结中,样品的铁磁共振频率和共振磁场强度随外加电场发生移动;当引入自旋泵浦效应,在多层膜FM/NM/FE和FM/NM/FM/FE两种体系中,磁电异质结在首次电场作用时,观察到铁磁共振曲线在晶体相变电场附近发生剧烈变化,当再次电场调节时,在晶体可承受的电场下,铁磁共振曲线强度随外加电场接近线性增大。在多层膜体系中,可以直观的看到晶体在电场作用下,相变过程中应力作用对铁磁膜产生的影响。