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钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,简记为BST)薄膜具有介电常数大、介电损耗低、非线性强、漏电流小、居里温度可调、热释电性高等特点,因此在超高密度集成的随机存储器(DRAM)、介质移相器、压控滤波器和非制冷红外探测等方面有着广泛的应用前景。在器件中,BST薄膜工作在外加直流电压下,过大的漏电流将严重影响薄膜器件的工作稳定性和使用寿命。本文围绕如何通过镁掺杂和制作钛酸锶钡与偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物(P(VDF-TrFE))的复合膜来减小漏电流,以及低电场下漏电流机制的问题,通过实验制备和理论计算的方