互补金属氧化物半导体(CMOS)相关论文
对互补金属氧化物半导体(CMOS)有源像素传感器(APS)数字模组的辐射耐受性进行了研究,设计并制造了屏蔽加固结构.利用蒙特卡罗模拟......
设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出......
该文介绍了光纤通信系统的基本原理和应用于光纤通信的CRC的基本原理以及几种常见的CRC结构(方案),并对各种结构CRC的优缺点作了阐......
采用0.18μm CMOS工艺设计并制作了一个2.4 GHz全集成CMOS Doherty功率放大器。着重考虑了片上螺旋电感的回流路径对电感模型的影......
针对手持式无线通信产品对低成本、高效率收发机的需求,提出了一种将并联放大结构和放大器电源漏端调制相结合的功率控制方法.结合......
基于IP核的技术设计了一种快速数字电平转换电路.采用电压-电流-电压的方式实现不同电压域的电平转换,引入单稳态延时电路和快慢速......
设计一种超低功耗、适用于脉冲位置调制的时钟数据恢复电路.通过对电荷积分,将窄脉冲的时间间距转化为电压,可便捷地恢复精确同步......
分析了静电放电（ESD）保护对源极电感负反馈低噪声放大器（LNA）的输入阻抗匹配和噪声匹配的影响。给出了带ESD保护的低噪声放大器在功耗......
设计了一款带隙基准电压源,基于0.18μm的CMOS工艺,在Hspice下仿真,仿真结果表明,温度在-25~80℃内变化时,温度系数为9.14×10......
采用60 Co-γ射线对像增强型图像传感器进行了总剂量辐照实验,以便评估该器件在空间总剂量辐照下的微光探测性能。当总剂量达到预......
描述了一种改进计时的基于65nmcM0s工艺的6bit流水线模数转换器（ADc）实例。采用4个通道均由一个标有刻度的全动态流水线式二分查找（PL......
陈述了一个基于单端共栅与共源共栅级联结构的超宽带低噪声放大器（LNA）.该LNA用标准90-nm RFCMOS工艺实现并具有如下特征：在28.5～39 GH......
数字化单片全集成是信道技术发展的必然趋势,也将推动新一代作战平台进一步小型化、轻薄化及多功能集成化。该文介绍了单片全集成......
采用ASMC0．35μm CMOS工艺设计了低功耗、高电源抑制比（PSRR）、低温漂、输出1V的带隙基准源电路。该设计中，偏置电压采用级联自偏置结......
基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,设计了一款适用于无线保真(Wi Fi)收发机的发射端、工作在2.4 GHz且增益可控的三级级联功率放大器。驱......
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基于0.18μm互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器工艺提出一种新型的低暗计数率（Dark Count Rate）单光子雪崩二极管（SPAD）器件.该器件......
设计了一种适用于无源超高频(UHF)温度标签的超低功耗CMOS温度传感器电路。该电路利用衬底pnp晶体管产生随温度变化的电压信号,同......
设计了一种用于分时长期演进(TD-LTE)系统基带信号处理的12bit40MS/s无校准的流水线模数转换器(ADC).在采样保持前端设计了一种改......
随着无线通信技术的高速发展,市场对高性能无线通信系统的需求逐渐增加,对射频与通信集成电路设计的要求也越来越重要。因此,进行......
随着社会的发展,信息交换量与日俱增。近年来,以光波为载体、光纤为传输媒质的光纤通信异军突起,发展十分迅速,已成为信息高速公路......
IT业在不断发展和革新的过程中,呈现出网络化、数字化、智能化、低功耗等几大特点和发展趋势。人们需要高速、宽带的通信网络来互......
基于GF 8HP 0.12μm BiCMOS工艺设计并实现了一款应用于相控阵系统的具有低幅度均方根(RMS)误差的单片集成5～40 GHz 5 bit数控衰减......
提出了一种新型多频太赫磁探测器电路结构,采用圆形、菱形以及环形天线嵌套式构成多频探测单元,四个探测器相互之间设计保护层包围......
期刊
描述了混合晶向技术原理以及各种硅衬底晶向的反型层中载流子迁移率特性,分析了应变硅技术对载流子迁移率的增强机理,介绍了DSL这......
设计了一种宽频率范围的CMOS锁相环(PLL)电路,通过提高电荷泵电路的电流镜镜像精度和增加开关噪声抵消电路,有效地改善了传统电路......
