本文使用余氏固体与分子经验电子理论（The Empirical Electron Theory in Solid and Molecules,简称为EET理论）分别计算了合金元素Y、Sn在Mg-A1基合金中形成的固溶体、析出第二相的价电子结构和键能以及相界面间的价电子结构,以此为依据分析了价电子结构与固溶强化、析出第二相强化以及界面强化的关系。研究结论归纳如下几点： 1.计算了纯Mg、α-Mg、Mg-Al-Y价电子结构、键能和相结构因子ρVC其中α-Mg最强键上的共价电子对数为nAs-s=0.11199、最强键的键能值为EAS-S=10.47317kJ/mol; Mg-Al-Y最强键的共价电子对数为nAS-S=0.11325、最强键的键能为EAS-S=10.66495kJ/mol。它们的nA、EA值大于纯Mg（纯Mg最强键的共价电子对数为nAMg-Mg=0.10992、最强键的键能为EAMg-Mg=10.24306kJ/mol）的nA、EA值。α-Mg的ρVC=65.6806%,Mg-A1-Y的ρVC=66.0907%,均大于纯Mg的ρVC值（纯Mg的ρVC=65.1100%）。依据最强键的共价电子对数、最强键的键能以及相结构因子ρVC的信息,分析合金元素Y对Mg-A1合金强化作用的微观机理。 2.计算了第二相Al2Y、Mg2Sn的价电子结构以及键能,其中A12Y最强键的共价电子对数为nAnY-Y=0.39773、最强键的键能为EAY-Y=51.47456kJ/mol;Mg2Sn最强键上的共价电子对数为nAMg-Mg=0.37685、最强键的键能值为EAMg-Sn=34.06651kJ/mol。它们的nA、EA值大于α-Mg基体（α-Mg最强键的共价电子对数为nAS-S=0.11199、最强键的键能为EAS-S=10.47317kJ/mol）的nA、EA值。Al2Y、Mg2Sn的存在使基体中的位错难以切过,钉扎住位错的运动,对提高Mg-Al合金的强度有重要作用。 3.计算了A12Y、Mg2Sn相的FV值。其中Al2Y的FV值为FV=103.6748、Mg2Sn的FV值为FV=46.9049,均大于γ-Mg17Al12的FV值（γ-Mg17Al12的FV值为FV=44.22）,Al2Y、Mg2Sn相适应外界变化的能力强于γ-Mg17Al12相,且稳定性也比γ-Mg17Al12好。在高温下,Al2Y、Mg2Sn能有效阻碍位错运动,对提高Mg-Al合金高温蠕变性能有重要的作用。 4.计算了（1121）α-Mg//（111）Al2Y、（0001）α-Mg//（111）Mg2Sn界面的价电子结构以及一级近似下界面的最小电子密度差为△ρmin、原子状态组数σ。（1121）α-Mg//（111）Al2Y界面的最小电子密度差为△ρmm=148.64%,大于（0001）α.Mg//（110）γ-Mg17Al12界面的最小电子密度差（△ρmin=50.55%）。强化相与基体的界面上电子密度差越大,则对基体晶界强化作用越大,对晶界滑移的阻力也越大,可知A12Y相对a-Mg基的强化效果明显好于γ-Mg17Al12相。（0001）α-Mg//（111）Mg2Sn界面处存在最小的电子密度差△ρmin=7.14%＜10%,使界面处电子密度保持连续的原子状态组数σ=1327。Mg2Sn与α-Mg界面两边的共价电子密度连续性很好,界面应力小,界面的稳定性好,界面结合很强。