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该文分三部分给出了SOI/MOSFET微波性能数值模拟结果.首先,由SOI/MOSFET小信号S参数与器件端点电流与电压关系,并通过数值模拟方法计算了SOI/MOSFET小信号S参数.其次,进行了SOI/MOSFET大信号A、B类工作的二维数值模拟.最后,讨论了由P沟和N沟SOI/MOSFET组成的推挽电路的集成数值模拟方法,并给出了初步模拟结果.