【摘 要】
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该文主要包括三部分内容:第一部分是在对CMOS集成运放深入研究基础上,从电路参数的约束条件着手,提出了一种比较简单的设计方法,同时用这种方法实现了CMOS高速集成运放的设计
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该文主要包括三部分内容:第一部分是在对CMOS集成运放深入研究基础上,从电路参数的约束条件着手,提出了一种比较简单的设计方法,同时用这种方法实现了CMOS高速集成运放的设计并进行了仿真验证.第二部分是结合BiFET技术完成了一个高速高精度集成运放的设计,并通过仿真验证了主要的电性能参数.第三部分结合设计仿真中使用的晶体管模型参数,介绍了MOS管的几个常用级别的模型参数.
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