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有机场效应晶体管存储器具有制备工艺简单,可设计性强,可非破坏性读取,可与柔性基底集成等众多优点,因而受到研究者的广泛关注。作为替代或者补充现有无机半导体存储技术的有机半导体存储技术,有机场效应晶体管存储器具有极大的研究价值和经济前景。但是目前有机场效应晶体管存储器的高性能和数据存储的稳定性以及存储机制等问题急需解决。本论文介绍了有机场效应晶体管存储器的发展历史、种类以及工作机理,并设计制备了一系列具有光电存储性质并且性能稳定的有机场效应晶体管存储器,并对其工作机理进行了探讨。(1)设计并制备了基于Si/SiO2/PVK/Pentacene/Au器件结构的有机场效应晶体管存储器,以Pentacene/PVK作为功能层,研究了存储器件的光电存储性质。应用光照作为信息写入擦除的编程方法在单极性存储器件上实现了双极性存储,在电存储基础上拓展了光电存储的信息写入擦除方式。这种双极性存储器件的电子存储时间和空穴存储时间能够维持在104s以上,开关比分别维持在103和104,表现出稳定的双极性存储特性。(2)研究了纳米浮栅型的有机场效应晶体管存储器,设计并制备了基于Si/SiO2/PMMA/Au NPs/PVK/Pentacene/Au结构的有机场效应晶体管存储器,以Au纳米粒子作为浮栅层,器件的Au纳米粒子浮栅通过真空蒸镀法制备,制备工艺简单,可控性强。探究了金纳米浮栅型有机场效应晶体管存储器的光电存储特性,应用光照作为信息写入擦除的信息编程方式,器件表现出良好的光电存储性能以及数据维持稳定性。(3)利用混合聚合物作为有机场效应晶体管存储器的电介体层,设计并制备了Si/SiO2/PMMA/PVK POSS/Pentacene/Au结构的有机场效应晶体管存储器,使用溶液旋涂法制备混合的聚合物薄膜层PVK POSS作为电介体层,研究了其光电存储特性。并且探究了利用混合聚合物PVK 944作为电介体层的电介体型有机场效应晶体管存储器在多阶存储方面的应用。