在过去的三十年中，陶瓷的介电性能得到了广泛的关注和研究，取得了较大的发展。今天，介电陶瓷已经被广泛的应用于很多的领域。最近几年，科学家已经不再把眼光局限在无机材料上。无机有机复合材料成为了新的热点。同时对配位聚合物介电性能的研究也逐渐的兴起。在这篇论文中我们将涉及到铜的配位聚合物的合成以及对它们介电性能的研究。我们将特别的讨论氘代对其介电性能的影响。 (1)首先我们合成氮氧吡啶酸以及相对应得氘代氮氧吡啶酸作为配体。然后在水热条件下将配体和相应的铜盐进行反应得到了三个配位聚合物：(INO)cuCl(1)，(DINO)CuCl(2)，(INO)2Cu(H2O)。其中两个配合物1和2，一个以氮氧吡啶酸为配体，另一个以氘代氮氧吡啶酸为配体，它们具有相同的晶体结构。我们测试它们的介电常数，并讨论氘代所带来的影响。 (2)我们用作配体的另外一个化合物7，10-dichloro-2-methoxybenzo[b]naphthyridine(DMN)适用于合成药物的前体物。这个化合物有两个氯原子，两个氮原子和一个氧原子，这对增大分子的极性有很大的帮助。很遗憾，目前我们还没能得到相应得氘代产物，所以我们只对DMN的配合物进行描述。