硅锗薄膜上低维结构及PL光谱研究

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【摘要】

：

本文用强激光直接辐照和弱激光辐照辅助电化学刻蚀方法在硅锗合金薄膜上形成多种低维量子结构。本文围绕着两个方面进行研究:一是探讨不同的实验条件,对形成低维量子结构的影响;二是研究了低维量子结构所对应的光致荧光谱,并分析其产生机制。利用SEM技术研究了实验条件与低维量子结构的关系,研究发现:(1)用强激光(功率为75W,波长为1064nm)直接辐照硅锗样品,激光散焦时会在硅锗合金薄膜上形成锗量子点结构。

【作者】

：

吴克跃

【机构】

：

贵州大学

【发表日期】

：

2008年01期

【关键词】

：

硅锗合金低维结构光致荧光界面态量子受限效应

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