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Cd Te是一种直接带隙化合物半导体材料,其禁带宽度约为1.5e V,与太阳光谱非常匹配,并且具有很高的吸光系数,在可见光范围高达105/cm,是一种理想的光伏半导体材料。近年来,溶液加工Cd Te纳米晶太阳电池发展迅速,取得重要进展。目前世界上Cd Te纳米晶太阳电池最高效率已达12.3%,其器件结构为ITO/Cd Te NC/Zn O/Al。这种器件结构存在一定的问题,例如:ITO导电玻璃经氧气Plasma之后功函数也只有4.8e V,而Cd Te纳米晶的功函数为5.3e V,因而ITO与Cd Te之间势必会形成肖特基势垒,影响载流子传输与提取。针对上述问题,本文以ITO/Cd Te NC/Al肖特基器件为例,引入Au、Mo OX、C60三种阳极界面材料,探究不同的阳极界面材料对Cd Te纳米晶太阳电池的影响。其中,Au的加入有效地将器件开路电压由0.48V提升至0.65V,接近于Cd Te纳米晶肖特基太阳电池的理想电压(0.7V),光电转换效率也由4.4%提升至5.3%。我们进一步研究了不同厚度的Au薄膜对器件性能的影响,发现当Au的厚度为1nm时,器件性能达到最优。1nm Au的加入在提升器件的开路电压、填充因子和能量转换效率的同时,也延长了器件使用寿命。另外,本文还研究了不同掺杂元素(Al、In)以及每种掺杂元素下不同掺杂浓度(原子百分比为1%、3%、5%)的Zn O薄膜对Cd Te NC/Zn O异质结太阳电池的影响,发现掺杂浓度为3%的In:Zn O(IAO)能够获得更优的器件效果,并且制备好的器件在进行J-V曲线测试之前,先进行“正向偏压”处理,能够获得更优的器件效果,器件光电转换效率达到9.3%。