电源管理芯片是便携式设备中最常用的部分,电源管理芯片性能的好坏直接影响整体电路的性能。在众多种类的芯片中,低压差线性稳压器(low dropout regulator)简称LDO,优点众多,成本低廉,越来越受到人们的重视。因此,对于LDO的研究具有很重要的意义。本文充分分析了LDO的发展趋势以及国内外的最新动态,同时提出了LDO广阔的应用前景。此次设计的LDO采用的是经典环路结构,详细的介绍了LDO工作原理及其PSR的推导过程。同时列举了提高带隙基准的PSRR,提高环路增益等四种提高LDO的PSR的方法。然后在0.35μm工艺库下,对三种带隙结构的原理分别进行比较。可以看到加入预电压负反馈结构的改进型电流求和型带隙电路具有最优的PSRR性能,在100Hz内PSRR可以达到108 d B,远高于一般带隙电路的性能。误差放大器采用共源共栅两级放大结构,低频增益达到92d B,相位裕度74°,共模抑制比为82 d B,电源抑制比达到90 d B。采用PMOS元件作为功率管,压差达到0.2V。本文最后采用改进的滤波电路对LDO电路进行改进,利用通路增加阻抗的方法降低LDO输出端对电源电压变化的敏感性,从而提高其PSR。未改进前LDO的100Hz内PSR可以达到89 d B,改进后LDO的PSR达到了106d B。同时LDO的环路增益达到113 d B,相位裕度53 d B,工作范围为2.7 V-5 V,负载调整率为2.3%,线性调整率为0.04%,最快上电时间为30μs,静态电流为1.4m A,最大电流效率为98.6%,温漂系数为13.41 ppm/℃。