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利用扫描探针显微镜针尖诱导氧化加工纳米级Ti膜,形成的氧化物TiOx和Ti膜,构成金属-绝缘体-金属结构,从而可以实现加工各种纳米器件,如单电子晶体管、高电子迁移率晶体管、光导开关和单电子存储器。超高速光导开关在超高速器件测试和光通信等领域有广泛的应用。本文围绕超高速光导开关的设计和理论计算、衬底材料制备与器件的特性测试等关键问题,主要完成了以下四个方面的工作:1.开展了纳米电子、光电器件衬底材料的选择工作,经分析比较,采用低温生长的GaAs材料作为超高速光导开关的衬底,利用AFM阳极氧化加工方法在超薄钛膜上加工的氧化钛线作为超高速光导开关的功能结构,同时选择共面带状线结构作为光导开关的传输线,从而设计了新型的光导开关的整体结构;通过理论分析计算,解出了设计的新型光导开关的输出特性的近似数值解;2.开展了纳米薄膜的制备及检测方法的研究,利用对向靶直流磁控溅射方法制备纳米钛膜,用AFM测量了钛膜的表面平整度,STM测量了钛膜的I-V曲线,表明制备的钛膜具有很高的表面平整度和良好的导电性;非常适于超高速光导开关的氧化加工;s3.进行了纳米钛膜氧化加工的实验研究,在现有理论的基础上推导了符合实验结果的理论模型,得到加工较好的氧化钛线的最合适条件为:偏压8V、扫描速度0.1μm/s和相对湿度30%～50%;在上述确定的条件下,从左到右每隔1μm加工了6条5μm长的纳米氧化钛线,此条件下加工的纳米氧化钛线的高度和宽度的一致性以及直线度都比较好。并通过加工点阵列研究了AFM阳极氧化加工的重复性。4.开展了新型光导开关的结构设计和加工的研究,设计并制作了形成光导开关传输线和电极结构的三块光刻版;结合光刻工艺、磁控溅射技术和AFM阳极氧化方法加工了超高速光导开关的传输线、电极、功能间隙的钛膜和氧化钛线,测量了超高速光导开关的暗电流-电压特性。并且研究了氧化钛线宽度和数目对光导开关特性的影响。