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纳米SnO_2作为一种典型的宽禁带半导体材料,具有较低的制备温度和较高的化学稳定性,使其在陶瓷、透明导电、发光材料、平板显示器、太阳能电池、气敏传感器、催化剂等方面有广泛的应用。本文通过微波水热法和传统水热法合成了不同形貌的SnO_2纳米粉体,并以光催化降解罗丹明B(RhB)为模拟反应研究了SnO_2样品的光催化性能。并在此基础上制备了N、F掺杂的SnO_2样品,通过控制掺杂元素的掺杂量对SnO_2进行改性,以求拓宽光响应范围及抑制空穴电子对的复合,从而提高SnO_2光催化剂的光催化活性。主要研究成