本论文对硅基体微通道列阵的电化学加工技术进行了初步的理论分析和实验研究。实验中采用P型掺杂的硅基片，在硅基片上用热氧化法形成氧化膜，为了确定微通道的位置，利用光刻技术将掩膜图形转印到氧化膜上，并利用湿法刻蚀技术形成诱导坑列阵，然后在硅片背面形成欧姆接触层。以上这些工艺步骤完成之后，将在三极电解槽中进行硅基片的电化学刻蚀实验，并利用扫描电子显微镜对刻蚀后的样品形貌进行观察和研究。 理论分析和实验研究结果表明：做为基体材料的硅基片的掺杂浓度需要合理限定，确定微通道位置的诱导坑的形貌，尤其是尖端情况对微通道的刻蚀有重要影响，形成欧姆接触前要对硅片进行严格的清洗，电化学刻蚀中电解液浓度以及电源电压等实验参数需要合理选择。 本论文的研究结果对该技术的进一步研究具有指导意义，而硅电化学微加工技术也必将在硅基体微通道列阵微加工中得到重要应用。