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介绍了国内外关于微孔深通道列阵的研究工作进展,给出了初步实验结果,指出了传统工艺中从未遇到的新现象和新问题,提出了解决问题......
本论文对硅基体微通道列阵的电化学加工技术进行了初步的理论分析和实验研究。实验中采用P型掺杂的硅基片，在硅基片上用热氧化法形......
本文采用P型单晶硅片，由热氧化形成SiO2掩膜层，标准光刻工艺进行图形转移，用KOH溶液湿法刻蚀制作倒四棱锥腐蚀坑列阵。在三极电解槽中......
