近年来新型显示器件,特别是以液晶显示器(LCD)为首的各种新型平板显示器件(FPD)得到了迅速发展,液晶显示器作为重要的信息电子产品,变得日益举足轻重。随着液晶产品拥有量的增大和使用的深入,人们对液晶产品在响应时间,对比度,广视角及低功耗等方面的显示品质上,也提出了更高的要求,一些以前鲜为人知的不良现象也为人们所认识并引起关注,“影像残留”,亦称“残像”,便是其中之一。如今TFT-LCD的“残像”作为全世界各大厂商正在解决的问题,在许多文献中都被讨论和涉及。本文简述了大工业生产中的TFT-LCD的制造过程,介绍了“残像”的评价方法及分类方法,探讨了“残像”产生的机理。本文主要分析了来自于德国和日本的液晶材料厂商的5种TFT-LCD液晶的组成,对这五种混合液晶进行了单体结构测定,得出了各个单体在混合液晶中的质量配比,并且对这五种液晶所制成的TFT-LCD产品的“面残像”和“线残像”分别进行了“残像”水平测定。以液晶化合物的组成与“线残像”水平的关系为分析重点,通过对五种混合液晶中的单体结构和性能参数等方面的对比,从中我们发现,?ε较大,极性较强的混合液晶,“线残像”水平数值随着时间的延长急剧增高,其稳定性较差,“线残像”水平相对较差;含有大量丁烯基三联苯类的混合液晶,稳定性较差,“线残像”水平的时间临界点较短。取向层也是影响液晶盒的残像水平的关键因素之一,本文选取三种残像水平高低不同的液晶盒,通过测试预倾角、取向层的表面张力和液晶材料的各种离子含量分析,考察取向层与发生残像的液晶盒的相关性。发现液晶盒中有机酸和Cl-的浓度高,会使得液晶产品线残像有加重的趋势;PI材料中含有较多Na+碎片的话,可能会对线残像的结果产生影响,从而为降低残像选取合适的PI材料提供帮助。